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NTMD4820NR2G 發(fā)布時間 時間:2023/4/14 11:58:51 查看 閱讀:247

分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:MOSFETs - 陣列

FET 型:2 個 N 溝道(雙)

FET 特點(diǎn):邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫歐 @ 7.5A, 10V

漏極至源極電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:4.9A

Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA

閘電荷(Qg) @ Vgs:7.7nC @ 4.5V

在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :940pF @ 15V

功率 - 最大:750mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(3.9mm 寬)

包裝:帶卷 (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC (窄型)

資料

廠商
ON Semiconductor

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ntmd4820nr2g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 7.5A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds940pF @ 15V
  • 功率 - 最大750mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTMD4820NR2G-NDNTMD4820NR2GOSTR