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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 15:25:49 查看 閱讀�16

NTMD5838NLR2G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,專為高頻和高效率應用設�。該器件采用先進的封裝技�,能夠提供卓越的開關性能和熱管理能力,適用于各種電源轉換場景�
  其內部結構優(yōu)化了導通電阻和開關損耗之間的平衡,同時具備較低的柵極電荷和輸出電�,從而提高了整體系統(tǒng)效率。此外,該器件還具有出色的耐用性和可靠�,適合在嚴苛的工作條件下運行�

參數

型號:NTMD5838NLR2G
  類型:增強型 GaN HEMT
  最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏電流:12A
  導通電阻:40mΩ
  柵極電荷�70nC
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

NTMD5838NLR2G 具備以下顯著特性:
  1. 高效的功率轉換能�,尤其在高頻應用中表現出色�
  2. 超低導通電阻與開關損耗的�(yōu)化平�,確保系�(tǒng)效率最大化�
  3. 采用氮化鎵技�,具備更高的開關頻率和更低的能量損失�
  4. 內置保護機制,可防止過壓、過流等異常情況�
  5. 封裝形式堅固耐用,易于集成到各種電路設計中�
  6. 廣泛的工作溫度范�,支持在極端�(huán)境下�(wěn)定運行�

應用

NTMD5838NLR2G 主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)設�,如AC/DC和DC/DC轉換��
  2. 太陽能逆變器中的高頻功率轉換模塊�
  3. 電動汽車充電站和車載充電��
  4. 工業(yè)電機驅動和伺服控制器�
  5. 數據中心服務器電源和通信電源系統(tǒng)�
  6. 消費類電子產品的快速充電適配器�
  由于其優(yōu)異的性能表現,這款芯片特別適合需要高效率和高可靠性的應用場景�

替代型號

NTMG014N065SC1
  GAN063-650WSA

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ntmd5838nlr2g參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 7A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds785pF @ 20V
  • 功率 - 最�2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)