NTMD5838NLR2G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,專為高頻和高效率應用設�。該器件采用先進的封裝技�,能夠提供卓越的開關性能和熱管理能力,適用于各種電源轉換場景�
其內部結構優(yōu)化了導通電阻和開關損耗之間的平衡,同時具備較低的柵極電荷和輸出電�,從而提高了整體系統(tǒng)效率。此外,該器件還具有出色的耐用性和可靠�,適合在嚴苛的工作條件下運行�
型號:NTMD5838NLR2G
類型:增強型 GaN HEMT
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏電流:12A
導通電阻:40mΩ
柵極電荷�70nC
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-247-4L
NTMD5838NLR2G 具備以下顯著特性:
1. 高效的功率轉換能�,尤其在高頻應用中表現出色�
2. 超低導通電阻與開關損耗的�(yōu)化平�,確保系�(tǒng)效率最大化�
3. 采用氮化鎵技�,具備更高的開關頻率和更低的能量損失�
4. 內置保護機制,可防止過壓、過流等異常情況�
5. 封裝形式堅固耐用,易于集成到各種電路設計中�
6. 廣泛的工作溫度范�,支持在極端�(huán)境下�(wěn)定運行�
NTMD5838NLR2G 主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)設�,如AC/DC和DC/DC轉換��
2. 太陽能逆變器中的高頻功率轉換模塊�
3. 電動汽車充電站和車載充電��
4. 工業(yè)電機驅動和伺服控制器�
5. 數據中心服務器電源和通信電源系統(tǒng)�
6. 消費類電子產品的快速充電適配器�
由于其優(yōu)異的性能表現,這款芯片特別適合需要高效率和高可靠性的應用場景�
NTMG014N065SC1
GAN063-650WSA