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NTMD6N02R2G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/13 10:44:44 查看 閱讀：792

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFETs - 陣列

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：MOSFETs - 陣列

FET 型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 特點(diǎn)：邏輯電平門

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫歐 @ 6A, 4.5V

漏極至源極電壓(Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：3.92A

Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250?A

閘電荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V

在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1100pF @ 16V

功率 - 最大：730mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（3.9mm 寬）

包裝：帶卷 (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC (窄型)

其它名稱：NTMD6N02R2GOS

資料

廠商
ON Semiconductor

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ntmd6n02r2g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.92A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 6A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 16V
  • 功率 - 最大730mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTMD6N02R2GOSNTMD6N02R2GOS-NDNTMD6N02R2GOSTR