国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTMFS4H013NFT1G

NTMFS4H013NFT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 17:25:51 查看 閱讀�21

NTMFS4H013NFT1G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-263 (D2PAK) 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。這種 MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及電源管理領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�37nC
  總電容(輸入電容):1320pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝�(lèi)型:TO-263 (D2PAK)

特�

NTMFS4H013NFT1G 提供了極低的�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  其高�(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì)有助于降低開(kāi)�(guān)損��
  器件的熱性能�(yōu)越,適合高溫�(huán)境下的功率應(yīng)��
  采用了堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),能夠承受較高的雪崩能量�
  符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流、負(fù)載開(kāi)�(guān)控制、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及電池保護(hù)��
  它也適用于工�(yè)和汽�(chē)�(lǐng)域的電源管理模塊,例如電�(dòng)�(chē)�、電�(dòng)座椅�(diào)節(jié)和電子助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)�
  此外,在消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中,這款 MOSFET 可用于適配器、充電器和其他便攜式�(shè)備的功率管理部分�

替代型號(hào)

NTMFS4H013NFT1
  IRF3205
  FDP5500
  AON7901

ntmfs4h013nft1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ntmfs4h013nft1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�25 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)43A(Ta��269A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)0.9 毫歐 @ 30A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3923 pF @ 12 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.7W(Ta��104W(Tc�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線(xiàn)