NTMFS4H013NFT1G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-263 (D2PAK) 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。這種 MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及電源管理領(lǐng)��
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�37nC
總電容(輸入電容):1320pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝�(lèi)型:TO-263 (D2PAK)
NTMFS4H013NFT1G 提供了極低的�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)效率�
其高�(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì)有助于降低開(kāi)�(guān)損��
器件的熱性能�(yōu)越,適合高溫�(huán)境下的功率應(yīng)��
采用了堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),能夠承受較高的雪崩能量�
符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流、負(fù)載開(kāi)�(guān)控制、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及電池保護(hù)��
它也適用于工�(yè)和汽�(chē)�(lǐng)域的電源管理模塊,例如電�(dòng)�(chē)�、電�(dòng)座椅�(diào)節(jié)和電子助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)�
此外,在消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中,這款 MOSFET 可用于適配器、充電器和其他便攜式�(shè)備的功率管理部分�
NTMFS4H013NFT1
IRF3205
FDP5500
AON7901