NTP5864NG是一款由Onsemi(安森美)生�(chǎn)的高性能、低�(dǎo)通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用SO-8封裝形式,廣泛應(yīng)用于各種需要高效開(kāi)�(guān)和低功耗的電路�。其�(shè)�(jì)主要針對(duì)�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理以及電池保�(hù)等應(yīng)用場(chǎng)合。NTP5864NG具有�(yōu)異的電氣特性和熱性能,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的需求�
作為一款P溝道MOSFET,NTP5864NG在導(dǎo)通時(shí)提供從源極到漏極的低阻抗路徑,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此外,它還具備快速開(kāi)�(guān)能力和較高的電流承載能力,使其成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�15mΩ(典型�,在Vgs=-4.5V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�9nC
總功�(Ptot)�2.3W
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低功率損��
2. 高電流處理能�,支持高�(dá)12A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 小型SO-8封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 寬工作溫度范�,適用于各種�(yán)苛的工作條件�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
7. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以增強(qiáng)散熱性能,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
1. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電源分配網(wǎng)�(luò)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及電源管理模��
3. 電池保護(hù)和充電管理電路�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源開(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)控制和電�(jī)�(qū)�(dòng)�
6. 各種便攜式設(shè)備中的高效電源解決方��
7. 照明系統(tǒng)中的�(diào)光和�(kāi)�(guān)控制�
NTP5862N, NTP5863N, NTP5865N