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NTP5864NG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 15:42:44 查看 閱讀：22

NTP5864NG是一款由Onsemi（安森美）生產(chǎn)的高性能、低導(dǎo)通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用SO-8封裝形式，廣泛應(yīng)用于各種需要高效開(kāi)關(guān)和低功耗的電路中。其設(shè)計(jì)主要針對(duì)負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理以及電池保護(hù)等應(yīng)用場(chǎng)合。NTP5864NG具有優(yōu)異的電氣特性和熱性能，能夠滿足多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備的需求。
　　作為一款P溝道MOSFET，NTP5864NG在導(dǎo)通時(shí)提供從源極到漏極的低阻抗路徑，從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此外，它還具備快速開(kāi)關(guān)能力和較高的電流承載能力，使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds)：30V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±8V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：12A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：15mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V時(shí)）
　　柵極電荷(Qg)：9nC
　　總功耗(Ptot)：2.3W
　　工作溫度范圍(Ta)：-55℃至+150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，可有效降低功率損耗。
　　2. 高電流處理能力，支持高達(dá)12A的連續(xù)漏極電流。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　4. 小型SO-8封裝，節(jié)省PCB空間。
　　5. 寬工作溫度范圍，適用于各種嚴(yán)苛的工作條件。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　7. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化以增強(qiáng)散熱性能，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

1. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源分配網(wǎng)絡(luò)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及電源管理模塊。
　　3. 電池保護(hù)和充電管理電路。
　　4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源開(kāi)關(guān)。
　　5. 工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　6. 各種便攜式設(shè)備中的高效電源解決方案。
　　7. 照明系統(tǒng)中的調(diào)光和開(kāi)關(guān)控制。

替代型號(hào)

NTP5862N, NTP5863N, NTP5865N

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ntp5864ng參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C63A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12.4 毫歐 @ 20A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1680pF @ 25V
  • 功率 - 最大107W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件