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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTP5864NG

NTP5864NG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 15:42:44 查看 閱讀�22

NTP5864NG是一款由Onsemi(安森美)生�(chǎn)的高性能、低�(dǎo)通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用SO-8封裝形式,廣泛應(yīng)用于各種需要高效開(kāi)�(guān)和低功耗的電路�。其�(shè)�(jì)主要針對(duì)�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理以及電池保�(hù)等應(yīng)用場(chǎng)合。NTP5864NG具有�(yōu)異的電氣特性和熱性能,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的需求�
  作為一款P溝道MOSFET,NTP5864NG在導(dǎo)通時(shí)提供從源極到漏極的低阻抗路徑,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此外,它還具備快速開(kāi)�(guān)能力和較高的電流承載能力,使其成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�12A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�15mΩ(典型�,在Vgs=-4.5V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�9nC
  總功�(Ptot)�2.3W
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低功率損��
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá)12A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  4. 小型SO-8封裝,節(jié)省PCB空間�
  5. 寬工作溫度范�,適用于各種�(yán)苛的工作條件�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  7. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以增強(qiáng)散熱性能,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

1. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電源分配網(wǎng)�(luò)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器及電源管理模��
  3. 電池保護(hù)和充電管理電路�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源開(kāi)�(guān)�
  5. 工業(yè)控制和電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  6. 各種便攜式設(shè)備中的高效電源解決方��
  7. 照明系統(tǒng)中的�(diào)光和�(kāi)�(guān)控制�

替代型號(hào)

NTP5862N, NTP5863N, NTP5865N

ntp5864ng推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntp5864ng資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ntp5864ng參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C63A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.4 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1680pF @ 25V
  • 功率 - 最�107W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件