NTR0202PLT1G參數(shù)
源漏極間雪崩電壓VBR(V):20源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):800最大漏極電流Id(on)(A):0.400通道極性:P溝道封裝/溫度(℃):SOT-23 /-55 ~150描述:-20 V, -400 mA,雙功率MOSFET
IC型號(hào)索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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