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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTR0202PLT1G

NTR0202PLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/12 11:30:18 查看 閱讀�498

NTR0202PLT1G參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V):20
源漏極最大導(dǎo)�電阻rDS(on)(mΩ):800
最大漏極電流Id(on)(A):0.400
通道極�:P溝道
封裝/溫度(�):SOT-23 /-55 ~150
描述:-20 V, -400 mA,雙功率MOSFET

資料

�(chǎng)�
ON Semiconductor

ntr0202plt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ntr0202plt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ntr0202plt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C400mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 200mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds70pF @ 5V
  • 功率 - 最�225mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTR0202PLT1GOSTR