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NTR0202PLT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/12 11:30:18 查看 閱讀：498

NTR0202PLT1G參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V):20
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):800
最大漏極電流Id(on)(A):0.400
通道極性:P溝道
封裝/溫度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:-20 V, -400 mA,雙功率MOSFET

資料

廠(chǎng)商
ON Semiconductor

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

ntr0202plt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ntr0202plt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C400mA
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 200mA，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs2.18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds70pF @ 5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTR0202PLT1GOSTR