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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTR1P02T1G

NTR1P02T1G 發(fā)布時間 時間�2023/4/13 11:19:31 查看 閱讀�842

描述�-20 V, -1 A,雙功率MOSFET

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�180

最大漏極電流Id(on)(A)�

通道極性:P溝道

封裝/溫度(�):SOT-23 /-55 ~150


資料

廠商
ON Semiconductor

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ntr1p02t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 1.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.5nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds165pF @ 5V
  • 功率 - 最�400mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTR1P02T1GOSTR