NTR4003NLT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET)。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理應用。它廣泛用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,可作為高效能開�(guān)或負載驅(qū)動器使用�
該器件采� SOT-23 封裝形式,體積小巧,非常適合空間受限的設(shè)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�1.5A
導通電阻(典型值)�80mΩ
總功耗:410mW
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
NTR4003NLT1G 的主要特點是其低導通電阻和緊湊的封裝設(shè)計,使其能夠在高頻開�(guān)應用中保持高效率并減少散熱需��
此外,它還具有以下優(yōu)點:
- 低柵極電荷,�??焖匍_�(guān)性能�
- 高雪崩能�,提高系�(tǒng)的可靠��
- 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛�
- 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)�
- 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣�(wěn)定��
NTR4003NLT1G 廣泛應用于需要高效能 MOSFET 的場�,例如:
- 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
- 負載開關(guān)和電池保護電路�
- DC/DC �(zhuǎn)換器和降壓穩(wěn)壓器�
- 電機�(qū)動和 LED �(qū)動電��
- 各類便攜式設(shè)備和消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
NTSN4003NLT1G, BSS138, FDN340P