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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTR4171PT1G

NTR4171PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/10 11:13:43 查看 閱讀�1152

分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)� 

家庭:MOSFET,GaNFET - � 

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 特點(diǎn):邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�75 mOhm @ 2.2A, 10V

漏極至源極電�(Vdss)�30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.2A

Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1.4V @ 250μA 

閘電�(Qg) @ Vgs�15.6nC @ 10V

� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �720pF @ 15V

功率 - 最大:480mW

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3 

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23

資料

廠商
VBSEMI/�(tái)灣微�

ntr4171pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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ntr4171pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫歐 @ 2.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15.6nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds720pF @ 15V
  • 功率 - 最�480mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTR4171PT1G-NDNTR4171PT1GOSTR