NTR4503NT1G技術(shù)參數(shù)
源漏極間雪崩電壓VBR(V):30
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):140
最大漏極電流Id(on)(A):2.500
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:30 V, 2.5 A,雙功率MOSFET
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