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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTR4503NT1G

NTR4503NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 11:12:42 查看 閱讀�718

NTR4503NT1G技�(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�30

源漏極最大導(dǎo)�電阻rDS(on)(mΩ)�140

最大漏極電流Id(on)(A)�2.500

通道極性:N溝道

封裝/溫度(�):SOT-23 /-55 ~150

描述�30 V, 2.5 A,雙功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

ntr4503nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ntr4503nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫歐 @ 2.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds250pF @ 24V
  • 功率 - 最�420mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTR4503NT1GOSTR