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NTRV4101P 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 11:05:15 查看 閱讀：9

NTRV4101P是一種高性能的N溝道功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，從而提升了整體效率并減少了功率損耗。
　　此型號(hào)屬于 Vishay 公司的產(chǎn)品系列，其設(shè)計(jì)目標(biāo)是為各種工業(yè)和消費(fèi)類電子應(yīng)用提供可靠的功率控制解決方案。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：2.9A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：55mΩ
　　柵極電荷：8nC
　　輸入電容：370pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +150°C
　　封裝形式：SOT-23

特性

NTRV4101P是一款小型化且高效的功率MOSFET，具備以下特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 確保在高電流條件下減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)速度有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，適用于高頻應(yīng)用。
　　3. 小型SOT-23封裝使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
　　4. 高可靠性與寬溫度范圍支持使其能夠適應(yīng)惡劣的工作條件。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　這些特性使NTRV4101P成為許多便攜式設(shè)備及緊湊型電路的理想選擇。

應(yīng)用

NTRV4101P可以用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流或開(kāi)關(guān)管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
　　3. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　4. 小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　5. 過(guò)流保護(hù)電路中的電子保險(xiǎn)絲功能實(shí)現(xiàn)。
　　由于其高效能和緊湊的封裝尺寸，這款MOSFET特別適合于手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器以及其他對(duì)空間和能耗要求嚴(yán)格的電子產(chǎn)品中。

替代型號(hào)

NTRV4100N, BSS138, FDN340P

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