NTRV4101P是一種高性能的N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),從而提升了整體效率并減少了功率損耗。
此型號(hào)屬于 Vishay 公司的產(chǎn)品系列,其設(shè)計(jì)目標(biāo)是為各種工業(yè)和消費(fèi)類電子應(yīng)用提供可靠的功率控制解決方案。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:2.9A
導(dǎo)通電阻(典型值):55mΩ
柵極電荷:8nC
輸入電容:370pF
工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +150°C
封裝形式:SOT-23
NTRV4101P是一款小型化且高效的功率MOSFET,具備以下特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 確保在高電流條件下減少功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度有助于降低開(kāi)關(guān)損耗,適用于高頻應(yīng)用。
3. 小型SOT-23封裝使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
4. 高可靠性與寬溫度范圍支持使其能夠適應(yīng)惡劣的工作條件。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
這些特性使NTRV4101P成為許多便攜式設(shè)備及緊湊型電路的理想選擇。
NTRV4101P可以用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流或開(kāi)關(guān)管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
3. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
4. 小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
5. 過(guò)流保護(hù)電路中的電子保險(xiǎn)絲功能實(shí)現(xiàn)。
由于其高效能和緊湊的封裝尺寸,這款MOSFET特別適合于手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器以及其他對(duì)空間和能耗要求嚴(yán)格的電子產(chǎn)品中。
NTRV4100N, BSS138, FDN340P