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NTS10100EMFST1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/15 15:36:22 查看 閱讀：18

NTS10100EMFST1G 是一款來(lái)自 ON Semiconductor 的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能，適用于多種電源管理應(yīng)用。
　　這種 MOSFET 主要用于需要高效能開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其封裝形式為 TO-263-3（D2PAK），能夠提供良好的散熱性能和電氣連接能力。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：56A
　　導(dǎo)通電阻：1.4mΩ
　　總柵極電荷：85nC
　　功耗：217W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃

特性

NTS10100EMFST1G 具有非常低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，從而提高整體效率。
　　此外，其快速的開(kāi)關(guān)特性和低柵極電荷使得該器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。器件采用了堅(jiān)固的設(shè)計(jì)以確保在惡劣環(huán)境中的可靠性，并且具備強(qiáng)大的浪涌能力和短路保護(hù)功能。
　　它的高電流處理能力以及廣泛的溫度適用范圍，使其非常適合工業(yè)和汽車領(lǐng)域的各種應(yīng)用。同時(shí)，該器件符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
　　4. 電池管理系統(tǒng)
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路
　　由于其高電流承載能力和高效性，NTS10100EMFST1G 在需要高性能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中非常受歡迎。

替代型號(hào)

NTS10100E3T1G, IRF3205, FDP16N60C

nts10100emfst1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nts10100emfst1g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 技術(shù)肖特基
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)10A
  • 不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)720 mV @ 10 A
  • 速度快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)-
  • 不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏50 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 時(shí)電容-
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN，5 引線
  • 供應(yīng)商器件封裝5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 工作溫度 - 結(jié)-55°C ~ 175°C