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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTS10100EMFST1G

NTS10100EMFST1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 15:36:22 查看 閱讀�18

NTS10100EMFST1G 是一款來(lái)� ON Semiconductor � N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于多種電源管理�(yīng)用�
  這種 MOSFET 主要用于需要高效能�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其封裝形式� TO-263-3(D2PAK�,能夠提供良好的散熱性能和電氣連接能力�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�56A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  總柵極電荷:85nC
  功耗:217W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

NTS10100EMFST1G 具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損耗,從而提高整體效��
  此外,其快速的�(kāi)�(guān)特性和低柵極電荷使得該器件在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。器件采用了�(jiān)固的�(shè)�(jì)以確保在惡劣�(huán)境中的可靠性,并且具備�(qiáng)大的浪涌能力和短路保�(hù)功能�
  它的高電流處理能力以及廣泛的溫度適用范圍,使其非常適合工�(yè)和汽車領(lǐng)域的各種�(yīng)用。同�(shí),該器件符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)
  4. 電池管理系統(tǒng)
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
  由于其高電流承載能力和高效�,NTS10100EMFST1G 在需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用中非常受歡迎�

替代型號(hào)

NTS10100E3T1G, IRF3205, FDP16N60C

nts10100emfst1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nts10100emfst1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 技�(shù)肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)10A
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)720 mV @ 10 A
  • 速度快速恢�(fù) =< 500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏50 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 工作溫度 - �(jié)-55°C ~ 175°C