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NTS2101PT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/8 18:07:53 查看 閱讀:29

NTS2101PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生產(chǎn)的貼片式瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS 二極管)。它被設(shè)計(jì)用于保護(hù)敏感的電子設(shè)備免受因靜電放電 (ESD)、電感負(fù)載切換和其它瞬態(tài)現(xiàn)象引起的過(guò)壓威脅。NTS2101PT1G 的工作電壓為 5V,采用 SOD-323 封裝形式,適合表面貼裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)流程。
  該器件具有低電容特性,非常適合高速數(shù)據(jù)線和高頻應(yīng)用環(huán)境中的 ESD 保護(hù)。

參數(shù)

類型:TVS 二極管
  工作電壓(VRWM):5V
  反向擊穿電壓(VBR):5.8V
  最大峰值脈沖電流(IPP):49A
  箝位電壓(VC):17.4V
  反向漏電流(IR):1μA(最大值,@ VRWM)
  結(jié)電容(Cj):6pF(典型值)
  響應(yīng)時(shí)間:1ps(典型值)
  封裝形式:SOD-323
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

NTS2101PT1G 具有以下主要特性:
  1. 高效的瞬態(tài)電壓抑制能力,能夠快速響應(yīng)并抑制瞬態(tài)浪涌電壓。
  2. 低結(jié)電容(僅 6pF),適合高速信號(hào)線路的應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 超低泄漏電流,確保在正常工作條件下對(duì)電路性能的影響最小。
  4. 緊湊的 SOD-323 封裝,節(jié)省 PCB 空間,適合高密度設(shè)計(jì)。
  5. 工作溫度范圍寬廣(-55°C 至 +150°C),適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境。
  6. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車級(jí)應(yīng)用。
  7. 無(wú)鉛環(huán)保設(shè)計(jì),符合 RoHS 指令要求。
  這些特性使得 NTS2101PT1G 成為一種高性能、可靠且環(huán)保的保護(hù)器件選擇。

應(yīng)用

NTS2101PT1G 廣泛應(yīng)用于需要瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)的各種電子系統(tǒng)中,包括但不限于:
  1. USB 數(shù)據(jù)線和其他高速數(shù)據(jù)接口的 ESD 保護(hù)。
  2. 汽車電子系統(tǒng)的信號(hào)線路保護(hù),例如 CAN 總線、LIN 總線等。
  3. 移動(dòng)設(shè)備(如智能手機(jī)和平板電腦)中的射頻(RF)端口保護(hù)。
  4. 工業(yè)控制設(shè)備中的通信接口保護(hù)。
  5. 電源輸入端口的過(guò)壓保護(hù)。
  6. 傳感器信號(hào)線路的保護(hù)。
  由于其低電容和高響應(yīng)速度,NTS21適合那些對(duì)信號(hào)完整性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

PESD5V0H1BA, SMF5.0A, SMAJ5.0A

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nts2101pt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 1A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs6.4nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds640pF @ 8V
  • 功率 - 最大290mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-70-3(SOT323)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTS2101PT1GOSTR