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NTS2101PT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:07:53 查看 閱讀�29

NTS2101PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的貼片式瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS 二極管)。它被設(shè)�(jì)用于保護(hù)敏感的電子設(shè)備免受因靜電放電 (ESD)、電感負(fù)載切換和其它瞬態(tài)�(xiàn)象引起的�(guò)壓威�。NTS2101PT1G 的工作電壓為 5V,采� SOD-323 封裝形式,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)生�(chǎn)流程�
  該器件具有低電容特�,非常適合高速數(shù)�(jù)線和高頻�(yīng)用環(huán)境中� ESD 保護(hù)�

參數(shù)

類型:TVS 二極�
  工作電壓(VRWM):5V
  反向擊穿電壓(VBR):5.8V
  最大峰值脈沖電流(IPP):49A
  箝位電壓(VC):17.4V
  反向漏電流(IR):1μA(最大�,@ VRWM�
  �(jié)電容(Cj):6pF(典型值)
  響應(yīng)�(shí)間:1ps(典型值)
  封裝形式:SOD-323
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

NTS2101PT1G 具有以下主要特性:
  1. 高效的瞬�(tài)電壓抑制能力,能夠快速響�(yīng)并抑制瞬�(tài)浪涌電壓�
  2. 低結(jié)電容(僅 6pF),適合高速信�(hào)線路的應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 超低泄漏電流,確保在正常工作條件下對(duì)電路性能的影響最��
  4. 緊湊� SOD-323 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合高密度�(shè)�(jì)�
  5. 工作溫度范圍寬廣�-55°C � +150°C�,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)境�
  6. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適用于汽車�(jí)�(yīng)用�
  7. �(wú)鉛環(huán)保設(shè)�(jì),符� RoHS 指令要求�
  這些特性使� NTS2101PT1G 成為一種高性能、可靠且�(huán)保的保護(hù)器件選擇�

�(yīng)�

NTS2101PT1G 廣泛�(yīng)用于需要瞬�(tài)電壓抑制保護(hù)的各種電子系�(tǒng)�,包括但不限于:
  1. USB �(shù)�(jù)線和其他高速數(shù)�(jù)接口� ESD 保護(hù)�
  2. 汽車電子系統(tǒng)的信�(hào)線路保護(hù),例� CAN 總線、LIN 總線��
  3. 移動(dòng)�(shè)備(如智能手�(jī)和平板電腦)中的射頻(RF)端口保�(hù)�
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的通信接口保護(hù)�
  5. 電源輸入端口的過(guò)壓保�(hù)�
  6. 傳感器信�(hào)線路的保�(hù)�
  由于其低電容和高響應(yīng)速度,NTS21適合那些�(duì)信號(hào)完整性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

PESD5V0H1BA, SMF5.0A, SMAJ5.0A

nts2101pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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nts2101pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 1A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.4nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds640pF @ 8V
  • 功率 - 最�290mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-3(SOT323�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTS2101PT1GOSTR