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NV1206B391K202CEDN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 1:14:39 查看 閱讀�11

NV1206B391K202CEDN 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,適合在高頻條件下工作,廣泛用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�43A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�3.9mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗Ptot�175W
  �(jié)溫范圍Tj�-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

NV1206B391K202CEDN具有極低的導(dǎo)通電�,能夠在大電流應(yīng)用中有效減少�(fā)熱和能量損��
  其優(yōu)化的開關(guān)性能使其非常適合高頻工作�(huán)�,同�(shí)具備較高的雪崩耐量,增�(qiáng)了在異常條件下的可靠��
  此外,該器件還擁有快速開�(guān)速度和較低的輸入電容,有助于提升系統(tǒng)的整體效��
  芯片�(nèi)置了完善的保�(hù)�(jī)制,如過流保�(hù)和熱�(guān)斷功�,以確保在極端情況下不會(huì)損壞�
  良好的散熱設(shè)�(jì)使其可以輕松�(yīng)對高功率密度的應(yīng)用場��

�(yīng)�

該MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),例如降�、升壓及正弦波逆變電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級開�(guān)元件�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�

替代型號

NV1206B391K202CND
  NVH4120N
  IRFZ44N
  FDP5500

nv1206b391k202cedn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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