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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NV1206B681K102CEDN

NV1206B681K102CEDN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/12 14:28:12 查看 閱讀�11

NV1206B681K102CEDN 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用 N 溝道增強(qiáng)型技�(shù),適用于高效率開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,適合用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他工�(yè)�(yīng)用�

參數(shù)

型號(hào):NV1206B681K102CEDN
  類型:N溝道 MOSFET
  封裝:TO-220
  Vds(漏源極電壓):650 V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.2 Ω
  Id(持�(xù)漏極電流):12 A
  f(max)(最大工作頻率)�500 kHz
  功耗:12 W
  柵極電荷�37 nC
  總電容:1400 pF

特�

NV1206B681K102CEDN 具有出色的電氣特性和可靠��
  1. 高壓耐受能力:Vds � 650V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 較低的導(dǎo)通電阻:Rds(on) � 1.2Ω,在高電流應(yīng)用中減少功率損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力:支持高�(dá) 500kHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源� PWM 控制電路�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):具備良好的熱管理和散熱性能,可承受較高功率�(fù)載�
  5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,確保在惡劣�(huán)境下的長(zhǎng)期使用�
  6. 封裝形式�(jiān)固:TO-220 封裝提供卓越的機(jī)械強(qiáng)度和散熱性能�

�(yīng)�

NV1206B681K102CEDN 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
   - 用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - 適用于各類無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 逆變器:
   - 在太�(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中作為主功率�(kāi)�(guān)�
  4. 工業(yè)控制�
   - 用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電磁閥和繼電器�(qū)�(dòng)�
  5. LED �(qū)�(dòng)器:
   - 在高功率 LED 照明�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效�(diào)光和恒流控制�
  6. 充電器:
   - 包括電動(dòng)車充電器和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的快速充電解決方案�

替代型號(hào)

NV1206B681K102D, IRFZ44N, FQP50N06L

nv1206b681k102cedn推薦供應(yīng)� 更多>

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