NV1206N101J102CEDN 是一款由 ON Semiconductor 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。這種器件廣泛�(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的場景,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動以及電源管理等。該型號具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)特�,適用于高效率要求的�(yīng)用場��
NV1206 系列�(chǎn)品采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,能夠在高頻工作條件下保持出色的性能表現(xiàn),同�(shí)其封裝形式也便于集成到各種設(shè)�(jì)�。此外,該器件還具備一定的靜電防護(hù)能力,提升了在實(shí)際使用中的可靠��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�95A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
總柵極電荷:78nC(典型值)
輸入電容�4350pF(典型值)
功耗:420W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
NV1206N101J102CEDN 的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 較高的持�(xù)電流能力 (95A),能夠支持大功率�(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),方� PCB 布局�(yōu)��
5. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
7. 具備抗雪崩能�,增�(qiáng)了產(chǎn)品的魯棒性�
這些特性使� NV1206 成為工業(yè)控制、通信�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品等�(lǐng)域中的理想選擇�
NV1206N101J102CEDN 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件�
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流負(fù)載開�(guān)�
3. 各種類型的電�(jī)�(qū)動電�,如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
4. 電信�(shè)備中的電源模塊和信號�(diào)節(jié)電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制單元�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配和保�(hù)功能�
由于其高性能和可靠�,NV1206 在上述應(yīng)用場景中均能表現(xiàn)出色�
NV1205N101J102CEDN, IRF7728, FDP16N60E