NV1206N680J102CEDN 是一款高性能� IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模�,專(zhuān)為高功率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗的特點(diǎn),適合用于工�(yè)�(qū)�(dòng)、太�(yáng)能逆變器以及不間斷電源等場(chǎng)景�
該模塊內(nèi)部集成了多�(gè) IGBT 單元,并通過(guò)�(yōu)化的芯片布局和連接�(shè)�(jì)以降低寄生電�,從而提高整體效率和可靠��
額定電壓�1200V
額定電流�680A
集電�-�(fā)射極飽和電壓(Vce(sat)):�2.0V
柵極-�(fā)射極閾值電壓(Vge(th)):10~15V
�(kāi)通時(shí)間(t(on)):<1μs
�(guān)斷時(shí)間(t(off)):<1μs
工作�(jié)溫范圍:-40℃至+150�
存儲(chǔ)溫度范圍�-55℃至+150�
最大功耗:根據(jù)具體�(yīng)用而定
NV1206N680J102CEDN 擁有以下顯著特性:
1. 高額定電流能�,適用于大功率場(chǎng)��
2. 先�(jìn)的芯片制造工藝,降低了器件的�(dǎo)通和�(kāi)�(guān)損��
3. �(nèi)部集成快速恢�(fù)二極�,提升系�(tǒng)效率并減少開(kāi)�(guān)噪聲�
4. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),減小了模塊體積的同�(shí)提升了散熱性能�
5. 支持高頻�(kāi)�(guān)操作,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需求�
6. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然保持可靠的性能�
這款 IGBT 模塊廣泛�(yīng)用于多種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于:
1. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
2. 太陽(yáng)能逆變器,用于將直流電�(zhuǎn)換為交流��
3. 不間斷電源(UPS�,確保關(guān)鍵負(fù)載在主電源中斷時(shí)持續(xù)供電�
4. 電動(dòng)汽車(chē)充電站和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)��
5. 焊接�(shè)備以及其他涉及高電流切換的工�(yè)�(shè)備�
FZ1200R12KE3, XM12H680T4D