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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NV1206N680J102CEDN

NV1206N680J102CEDN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 18:44:12 查看 閱讀�7

NV1206N680J102CEDN 是一款高性能� IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模�,專(zhuān)為高功率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗的特點(diǎn),適合用于工�(yè)�(qū)�(dòng)、太�(yáng)能逆變器以及不間斷電源等場(chǎng)景�
  該模塊內(nèi)部集成了多�(gè) IGBT 單元,并通過(guò)�(yōu)化的芯片布局和連接�(shè)�(jì)以降低寄生電�,從而提高整體效率和可靠��

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�680A
  集電�-�(fā)射極飽和電壓(Vce(sat)):�2.0V
  柵極-�(fā)射極閾值電壓(Vge(th)):10~15V
  �(kāi)通時(shí)間(t(on)):<1μs
  �(guān)斷時(shí)間(t(off)):<1μs
  工作�(jié)溫范圍:-40℃至+150�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-55℃至+150�
  最大功耗:根據(jù)具體�(yīng)用而定

特�

NV1206N680J102CEDN 擁有以下顯著特性:
  1. 高額定電流能�,適用于大功率場(chǎng)��
  2. 先�(jìn)的芯片制造工藝,降低了器件的�(dǎo)通和�(kāi)�(guān)損��
  3. �(nèi)部集成快速恢�(fù)二極�,提升系�(tǒng)效率并減少開(kāi)�(guān)噪聲�
  4. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),減小了模塊體積的同�(shí)提升了散熱性能�
  5. 支持高頻�(kāi)�(guān)操作,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需求�
  6. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然保持可靠的性能�

�(yīng)�

這款 IGBT 模塊廣泛�(yīng)用于多種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于:
  1. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
  2. 太陽(yáng)能逆變器,用于將直流電�(zhuǎn)換為交流��
  3. 不間斷電源(UPS�,確保關(guān)鍵負(fù)載在主電源中斷時(shí)持續(xù)供電�
  4. 電動(dòng)汽車(chē)充電站和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)��
  5. 焊接�(shè)備以及其他涉及高電流切換的工�(yè)�(shè)備�

替代型號(hào)

FZ1200R12KE3, XM12H680T4D

nv1206n680j102cedn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)