国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NV1808B103K102CEKN

NV1808B103K102CEKN 發(fā)布時間 時間:2025/5/27 9:01:43 查看 閱讀:14

NV1808B103K102CEKN 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效率功率晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻逆變器等電力電子設(shè)備。該器件采用了先進的GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)結(jié)構(gòu),具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和功率密度。
  相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,NV1808B103K102CEKN 提供了更優(yōu)的動態(tài)性能和更低的寄生電感,使其特別適合高頻應(yīng)用場合。

參數(shù)

型號:NV1808B103K102CEKN
  類型:GaN HEMT
  額定電壓:650 V
  額定電流:8 A
  導(dǎo)通電阻:100 mΩ
  柵極電荷:30 nC
  反向恢復(fù)時間:無(零反向恢復(fù)特性)
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特性

NV1808B103K102CEKN 的主要特點是其優(yōu)異的高頻特性和高效性能。首先,它具備非常低的導(dǎo)通電阻,這可以有效減少導(dǎo)通損耗,并提升整體系統(tǒng)效率。其次,該器件采用增強型GaN技術(shù),擁有接近零反向恢復(fù)電荷的特性,從而進一步降低了開關(guān)損耗。
  此外,NV1808B103K102CEKN 支持高達10 MHz的工作頻率,為設(shè)計人員提供了更大的靈活性,同時減小了外部無源元件的尺寸,提高了功率密度。
  在可靠性方面,該器件經(jīng)過嚴(yán)格測試,確保能夠在惡劣的工作條件下穩(wěn)定運行,例如高溫環(huán)境或高頻開關(guān)操作。

應(yīng)用

NV1808B103K102CEKN 廣泛用于需要高效率和高頻工作的場景中。典型的應(yīng)用包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. LED驅(qū)動電路
  4. 太陽能微型逆變器
  5. 充電器和適配器
  6. 無線充電模塊
  由于其出色的性能,這款器件非常適合那些追求小型化、高效化設(shè)計的電力電子應(yīng)用。

替代型號

NV1808B103K102CEKM
  NV1808B103K102CEKL
  GS66508B

nv1808b103k102cekn推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價