NV1808B103K102CEKN 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和高頻逆變器等電力電子�(shè)�。該器件采用了先進的GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和功率密度�
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,NV1808B103K102CEKN 提供了更�(yōu)的動�(tài)性能和更低的寄生電感,使其特別適合高頻應(yīng)用場��
型號:NV1808B103K102CEKN
類型:GaN HEMT
額定電壓�650 V
額定電流�8 A
�(dǎo)通電阻:100 mΩ
柵極電荷�30 nC
反向恢復(fù)時間:無(零反向恢復(fù)特性)
封裝形式:TO-252(DPAK�
NV1808B103K102CEKN 的主要特點是其優(yōu)異的高頻特性和高效性能。首先,它具備非常低的導(dǎo)通電�,這可以有效減少導(dǎo)通損耗,并提升整體系�(tǒng)效率。其次,該器件采用增強型GaN技�(shù),擁有接近零反向恢復(fù)電荷的特性,從而進一步降低了開關(guān)損��
此外,NV1808B103K102CEKN 支持高達10 MHz的工作頻�,為�(shè)計人員提供了更大的靈活�,同時減小了外部無源元件的尺�,提高了功率密度�
在可靠性方�,該器件�(jīng)過嚴(yán)格測試,確保能夠在惡劣的工作條件下穩(wěn)定運�,例如高溫環(huán)境或高頻開關(guān)操作�
NV1808B103K102CEKN 廣泛用于需要高效率和高頻工作的場景�。典型的�(yīng)用包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
3. LED�(qū)動電�
4. 太陽能微型逆變�
5. 充電器和適配�
6. 無線充電模塊
由于其出色的性能,這款器件非常適合那些追求小型�、高效化�(shè)計的電力電子�(yīng)��
NV1808B103K102CEKM
NV1808B103K102CEKL
GS66508B