時間：2025/5/27 9:01:43
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NV1808B103K102CEKN 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率晶體管，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻逆變器等電力電子設(shè)備。該器件采用了先進的GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）結(jié)構(gòu)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和功率密度。
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET，NV1808B103K102CEKN 提供了更優(yōu)的動態(tài)性能和更低的寄生電感，使其特別適合高頻應(yīng)用場合。
型號：NV1808B103K102CEKN
類型：GaN HEMT
額定電壓：650 V
額定電流：8 A
導(dǎo)通電阻：100 mΩ
柵極電荷：30 nC
反向恢復(fù)時間：無（零反向恢復(fù)特性）
封裝形式：TO-252（DPAK）
NV1808B103K102CEKN 的主要特點是其優(yōu)異的高頻特性和高效性能。首先，它具備非常低的導(dǎo)通電阻，這可以有效減少導(dǎo)通損耗，并提升整體系統(tǒng)效率。其次，該器件采用增強型GaN技術(shù)，擁有接近零反向恢復(fù)電荷的特性，從而進一步降低了開關(guān)損耗。
此外，NV1808B103K102CEKN 支持高達10 MHz的工作頻率，為設(shè)計人員提供了更大的靈活性，同時減小了外部無源元件的尺寸，提高了功率密度。
在可靠性方面，該器件經(jīng)過嚴(yán)格測試，確保能夠在惡劣的工作條件下穩(wěn)定運行，例如高溫環(huán)境或高頻開關(guān)操作。
NV1808B103K102CEKN 廣泛用于需要高效率和高頻工作的場景中。典型的應(yīng)用包括：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. LED驅(qū)動電路
4. 太陽能微型逆變器
5. 充電器和適配器
6. 無線充電模塊
由于其出色的性能，這款器件非常適合那些追求小型化、高效化設(shè)計的電力電子應(yīng)用。
NV1808B103K102CEKM
NV1808B103K102CEKL
GS66508B
