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NVD2955T4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/5 12:24:12 查看 閱讀：11

NVD2955T4G是一款高性能、大容量的DDR5內(nèi)存模塊芯片，專為服務(wù)器、工作站和高端計(jì)算設(shè)備設(shè)計(jì)。該芯片支持最新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)，提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗，適用于需要高帶寬和低延遲的應(yīng)用場(chǎng)景。其高度集成的設(shè)計(jì)使其成為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算平臺(tái)的理想選擇。
　　這款芯片采用了先進(jìn)的制程工藝，在提升性能的同時(shí)顯著降低了能耗。此外，它還具備糾錯(cuò)碼（ECC）功能，能夠有效提高數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。

參數(shù)

類型：DDR5內(nèi)存芯片
　　容量：4GB
　　位寬：x8/x16
　　工作電壓：1.1V
　　數(shù)據(jù)速率：4800MT/s - 6400MT/s
　　封裝形式：BGA
　　引腳數(shù)：72-ball
　　溫度范圍：-40°C 至 +125°C

特性

NVD2955T4G具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 支持DDR5規(guī)范，提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬。
　　2. 內(nèi)置ECC功能，可檢測(cè)并糾正單比特錯(cuò)誤，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
　　3. 使用更小的工作電壓（1.1V），相比前代產(chǎn)品更加節(jié)能。
　　4. 高密度設(shè)計(jì)，能夠在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)容量。
　　5. 提供多種數(shù)據(jù)速率選項(xiàng)，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
　　6. 具有出色的熱管理性能，確保在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中保持穩(wěn)定。
　　7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，采用環(huán)保材料制造。

應(yīng)用

NVD2955T4G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 企業(yè)級(jí)服務(wù)器和高性能計(jì)算平臺(tái)。
　　2. 數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施。
　　3. 工作站和圖形處理單元（GPU）加速器。
　　4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備，如路由器和交換機(jī)。
　　5. 醫(yī)療成像和科學(xué)計(jì)算等對(duì)內(nèi)存性能要求極高的應(yīng)用。
　　6. AI訓(xùn)練和推理系統(tǒng)，支持深度學(xué)習(xí)框架的高效運(yùn)行。

替代型號(hào)

NVD2955T8G, NVD2950T4G, NVD2960T4G

nvd2955t4g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvd2955t4g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）60 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)12A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）180 毫歐 @ 6A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）30 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）750 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）55W（Ta）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63