NVD5867NLT4G 時間：2025/4/28 18:10:19 閱讀：34

NVD5867NLT4G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高頻和高功率應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的 GaN-on-Silicon 工藝制造，具備出色的開關(guān)速度和效率，適合用于電源轉(zhuǎn)換、射頻放大器以及其他需要高效能量傳輸?shù)膱鼍啊?br>　　其封裝形式通常為表面貼裝類型，便于自動化生產(chǎn)與散熱管理。NVD5867NLT4G 的主要優(yōu)勢在于低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，這使得它在高頻工作條件下依然能保持高效率。

參數(shù)

額定電壓：650V
　　額定電流：25A
　　導(dǎo)通電阻：45mΩ
　　柵極電荷：90nC
　　開關(guān)頻率：最高可達(dá) 5MHz
　　封裝形式：TO-247 或其他表面貼裝形式
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 高效能量轉(zhuǎn)換：由于采用了 GaN 材料，NVD5867NLT4G 能夠在高頻條件下實現(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率，減少損耗。
　　2. 快速開關(guān)能力：相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET，這款 GaN 晶體管具有更快的開關(guān)速度，從而降低開關(guān)損耗。
　　3. 小型化設(shè)計：得益于 GaN 技術(shù)的特性，該器件能夠在更小的體積內(nèi)提供更高的性能。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能輸出，非常適合工業(yè)級或汽車級應(yīng)用。
　　5. 寬禁帶材料：GaN 具有寬禁帶特性，能夠承受更高的電壓和溫度，同時提高系統(tǒng)可靠性。

應(yīng)用

1. 電源適配器和充電器：特別適用于快充設(shè)備，能夠顯著提升充電效率并減小產(chǎn)品體積。
　　2. 數(shù)據(jù)中心電源：用于服務(wù)器電源模塊中，可大幅提高能量轉(zhuǎn)換效率。
　　3. 無線充電系統(tǒng)：支持更高頻率的操作，有助于優(yōu)化無線充電體驗。
　　4. 太陽能逆變器：在光伏逆變器中使用，可以有效減少能量損失。
　　5. 射頻放大器：適合高頻通信領(lǐng)域的射頻功率放大應(yīng)用。