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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NVD5867NLT4G

NVD5867NLT4G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 18:10:19 查看 閱讀�34

NVD5867NLT4G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用而設(shè)�。該器件采用先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝制造,具備出色的開�(guān)速度和效�,適合用于電源轉(zhuǎn)�、射頻放大器以及其他需要高效能量傳�?shù)膱鼍�?br>  其封裝形式通常為表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)與散熱管理。NVD5867NLT4G 的主要優(yōu)勢在于低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,這使得它在高頻工作條件下依然能保持高效率�

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�25A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷�90nC
  開關(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
  封裝形式:TO-247 或其他表面貼裝形�
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

1. 高效能量�(zhuǎn)換:由于采用� GaN 材料,NVD5867NLT4G 能夠在高頻條件下實現(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效�,減少損耗�
  2. 快速開�(guān)能力:相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,這款 GaN 晶體管具有更快的開關(guān)速度,從而降低開�(guān)損耗�
  3. 小型化設(shè)計:得益� GaN 技�(shù)的特�,該器件能夠在更小的體積�(nèi)提供更高的性能�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能輸出,非常適合工�(yè)級或汽車級應(yīng)��
  5. 寬禁帶材料:GaN 具有寬禁帶特�,能夠承受更高的電壓和溫�,同時提高系�(tǒng)可靠性�

�(yīng)�

1. 電源適配器和充電器:特別適用于快充設(shè)�,能夠顯著提升充電效率并減小�(chǎn)品體��
  2. �(shù)�(jù)中心電源:用于服�(wù)器電源模塊中,可大幅提高能量�(zhuǎn)換效��
  3. 無線充電系統(tǒng):支持更高頻率的操作,有助于�(yōu)化無線充電體��
  4. 太陽能逆變器:在光伏逆變器中使用,可以有效減少能量損��
  5. 射頻放大器:適合高頻通信�(lǐng)域的射頻功率放大�(yīng)��

替代型號

NVP8007D, NVD5867NL, EPC2016C

nvd5867nlt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nvd5867nlt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列*