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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NVD5C668NLT4G

NVD5C668NLT4G 發(fā)布時間 時間�2025/6/11 17:37:58 查看 閱讀�5

NVD5C668NLT4G是一款由知名廠商生產(chǎn)的高性能DRAM�(nèi)存芯片,主要�(yīng)用于服務(wù)�、臺式機和筆記本電腦等設(shè)備中。該型號屬于DDR5系列,采用先進的制程工藝制�,具有高速度、低功耗和高穩(wěn)定性的特點。它能夠滿足�(xiàn)代計算環(huán)境中對大容量�(shù)�(jù)處理和快速訪問的需��
  DDR5技�(shù)的引入使得這款芯片在帶寬和頻率方面相較于前代產(chǎn)品有了顯著提升,同時其內(nèi)置的糾錯功能也進一步提高了系統(tǒng)的可靠性�

參數(shù)

類型:DRAM
  接口:DDR5
  容量�4GB
  工作電壓�1.1V
  速度�4800MT/s
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�276
  工作溫度�-40� to +85�
  �(shù)�(jù)寬度:x64

特�

NVD5C668NLT4G具備多項先進特性以適應(yīng)不同�(yīng)用場景的需�。首�,它的高頻性能允許其達(dá)�4800MT/s的數(shù)�(jù)傳輸速率,為多任�(wù)處理提供了強有力的支�。其次,通過�(yōu)化的電源管理�(shè)�,該芯片實現(xiàn)了更低的能耗,有助于減少系�(tǒng)整體�(fā)熱量。此�,它還支持片上ECC(Error Correction Code)功能,可以自動檢測并糾正單比特錯誤,從而保障數(shù)�(jù)完整性�
  從結(jié)�(gòu)上看,這款芯片采用了堆疊式架構(gòu),這種�(shè)計不僅增加了存儲密度,還簡化了PCB布局,為OEM廠商提供了更多靈活性。最�,其寬泛的工作溫度范圍使其能夠在各種苛刻�(huán)境下保持正常運行�

�(yīng)�

NVD5C668NLT4G適用于多種需要高效內(nèi)存支持的�(yīng)用場景,包括但不限于高性能計算、企�(yè)級服�(wù)器、工作站以及高端個人計算�。在這些�(lǐng)域中,快速的�(shù)�(jù)存取能力和大容量的存儲空間是必不可少�。具體來�,它可以用于�
  1. �(shù)�(jù)中心:支持大�(guī)模并�(fā)請求和實時數(shù)�(jù)分析�
  2. 人工智能與機器學(xué)�(xí):加速模型訓(xùn)練和推理過程�
  3. 游戲開發(fā):提供流暢的游戲體驗,減少加載時��
  4. 視頻編輯與渲染:處理高分辨率素材時維持穩(wěn)定的幀率;
  5. 科學(xué)研究:模擬復(fù)雜物理現(xiàn)象或進行基因測序分析�

替代型號

NVD5C668NLB4G
  NVD5C668NLC4G

nvd5c668nlt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nvd5c668nlt4g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �15.90000剪切帶(CT�2,500 : �7.27629卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)49A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)8.9 毫歐 @ 25A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)8.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1300 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)44W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63