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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NVF2955T1G

NVF2955T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 9:17:13 查看 閱讀�24

NVF2955T1G是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件適用于高效率開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為需要高效能功率管理系統(tǒng)的理想選��
  該MOSFET的工作電壓范圍寬�,能夠承受高�(dá)60V的漏源極電壓,同時具備快速開�(guān)特性以減少開關(guān)損耗。此�,NVF2955T1G還具有出色的熱性能和可靠�,確保在各種�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�80A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型值)
  總柵極電荷:76nC
  輸入電容�4050pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

NVF2955T1G具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,可滿足大功率應(yīng)用需��
  3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)過程中的能量損失�
  4. 較高的雪崩擊穿能力和堅固的ESD防護(hù)�(shè)計,增強(qiáng)了器件的可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,簡化了制造流程并提高了生�(chǎn)效率�

�(yīng)�

該器件適用于多種電力電子�(yīng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)或同步整流器�
  3. 各類�(fù)載開�(guān),例如服�(wù)�、通信�(shè)備和工業(yè)控制中的�(fù)載管��
  4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)�
  5. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動電��
  6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場景�

替代型號

IRF3710,
  FDP017N06L,
  STP80NF06,
  IXYS5N60P3

nvf2955t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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nvf2955t1g�(chǎn)�

nvf2955t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C170 毫歐 @ 750mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds492pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)