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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 14:49:13 查看 閱讀�18

NVF3055L108T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)制造的 N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)和低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于需要高效率和低功耗的�(chǎng)�。NVF3055L108T1G 具有出色的開(kāi)�(guān)特性和熱性能,適用于工業(yè)、汽�(chē)和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)��
  � MOSFET 的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此�,它還具備快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�74A
  �(dǎo)通電阻:1.1mΩ
  柵極電荷�95nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=8ns, toff=15ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝�(lèi)型:LFPAK56D

特�

NVF3055L108T1G 提供了超低的�(dǎo)通電阻,從而顯著降低功率損�,并且在高電流密度下保持高效�(yùn)行�
  該器件具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間工作而不影響性能�
  其快速的�(kāi)�(guān)特性使� NVF3055L108T1G 成為高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他�(lèi)似應(yīng)用的理想選擇�
  同時(shí),該�(chǎn)品支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)與生�(chǎn)流程,提高了可靠性�
  此外,NVF3055L108T1G 還符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛用于各種高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. 工業(yè)逆變�
  5. 電動(dòng)�(chē)輛牽引逆變�
  6. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)�
  7. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  這些�(yīng)用均受益� NVF3055L108T1G 的高效能量傳輸能力和緊湊的設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

NTMFS4C612N
  FDP15U60A
  IRLB8729PBF

nvf3055l108t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

nvf3055l108t1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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nvf3055l108t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 1.5A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)