NVF3055L108T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)制造的 N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)和低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于需要高效率和低功耗的�(chǎng)�。NVF3055L108T1G 具有出色的開(kāi)�(guān)特性和熱性能,適用于工業(yè)、汽�(chē)和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)��
� MOSFET 的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此�,它還具備快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�74A
�(dǎo)通電阻:1.1mΩ
柵極電荷�95nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=8ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝�(lèi)型:LFPAK56D
NVF3055L108T1G 提供了超低的�(dǎo)通電阻,從而顯著降低功率損�,并且在高電流密度下保持高效�(yùn)行�
該器件具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間工作而不影響性能�
其快速的�(kāi)�(guān)特性使� NVF3055L108T1G 成為高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他�(lèi)似應(yīng)用的理想選擇�
同時(shí),該�(chǎn)品支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)與生�(chǎn)流程,提高了可靠性�
此外,NVF3055L108T1G 還符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要��
� MOSFET 廣泛用于各種高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 工業(yè)逆變�
5. 電動(dòng)�(chē)輛牽引逆變�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)�
7. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
這些�(yīng)用均受益� NVF3055L108T1G 的高效能量傳輸能力和緊湊的設(shè)�(jì)�
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