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NVF3055L108T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 14:49:13 查看 閱讀：18

NVF3055L108T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）制造的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)和低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于需要高效率和低功耗的場(chǎng)景。NVF3055L108T1G 具有出色的開(kāi)關(guān)特性和熱性能，適用于工業(yè)、汽車(chē)和消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域。
　　該 MOSFET 的主要特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外，它還具備快速開(kāi)關(guān)速度，適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：74A
　　導(dǎo)通電阻：1.1mΩ
　　柵極電荷：95nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=8ns, toff=15ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
　　封裝類(lèi)型：LFPAK56D

特性

NVF3055L108T1G 提供了超低的導(dǎo)通電阻，從而顯著降低功率損耗，并且在高電流密度下保持高效運(yùn)行。
　　該器件具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間工作而不影響性能。
　　其快速的開(kāi)關(guān)特性使得 NVF3055L108T1G 成為高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他類(lèi)似應(yīng)用的理想選擇。
　　同時(shí)，該產(chǎn)品支持表面貼裝技術(shù)（SMT），簡(jiǎn)化了 PCB 設(shè)計(jì)與生產(chǎn)流程，提高了可靠性。
　　此外，NVF3055L108T1G 還符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足環(huán)保要求。

應(yīng)用

該 MOSFET 廣泛用于各種高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　4. 工業(yè)逆變器
　　5. 電動(dòng)車(chē)輛牽引逆變器
　　6. 可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換
　　7. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
　　這些應(yīng)用均受益于 NVF3055L108T1G 的高效能量傳輸能力和緊湊的設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

NTMFS4C612N
　　FDP15U60A
　　IRLB8729PBF

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nvf3055l108t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 1.5A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4，TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)