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NVMFS5C673NLAFT1G 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 15:51:25 查看 閱讀:28

NVMFS5C673NLAFT1G 是一款由安森美(onsemi)生產(chǎn)的MOSFET功率器件。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有高效率、低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。
  這款MOSFET屬于邏輯電平驅(qū)動類型,適用于各種低電壓應(yīng)用場合。其封裝形式為LFPAK56D,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠提供良好的散熱性能和緊湊的設(shè)計。

參數(shù)

最大漏源電壓(VDS):60V
  連續(xù)漏極電流(ID):84A
  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.2mΩ
  柵極電荷(Qg):58nC
  輸入電容(Ciss):4920pF
  工作溫度范圍(TJ):-55°C 至 +175°C
  封裝類型:LFPAK56D

特性

NVMFS5C673NLAFT1G 具有以下主要特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高電流處理能力,使其非常適合大功率應(yīng)用場景。
  3. 快速開關(guān)速度,可有效減少開關(guān)損耗。
  4. 符合汽車級認(rèn)證要求,能夠在極端環(huán)境下可靠運行。
  5. 封裝設(shè)計優(yōu)化了熱性能,同時支持自動化裝配流程。
  6. 穩(wěn)定的電氣特性和長壽命,保證長期使用的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

NVMFS5C673NLAFT1G 可用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電動車輛 (EV/HEV) 的電機(jī)控制器和逆變器模塊。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  4. LED 照明驅(qū)動中的高效功率控制。
  5. 各種消費類電子產(chǎn)品的適配器和充電器。
  6. 太陽能微逆變器及其他可再生能源系統(tǒng)的功率管理部分。

替代型號

NVMFS5C673NLAT1G, NVMFS5C673NLAHFT1G

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nvmfs5c673nlaft1g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥11.92000剪切帶(CT)1,500 : ¥5.41007卷帶(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)60 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)50A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)9.2 毫歐 @ 25A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2V @ 35μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)9.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)880 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)46W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN,5 引線