NVR5198NLT1G 是一款由安森美(onsemi)推出的高效能、低功耗的N溝道MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的制程技術(shù),具有出色的導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于各種電源管理及信號(hào)切換場(chǎng)景。
該器件的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高頻工作條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)換,同時(shí)其封裝形式緊湊,適合于空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
型號(hào):NVR5198NLT1G
類型:N-Channel MOSFET
Vgs(th)(柵極開啟電壓):1.2V 典型值
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):7mΩ 最大值(在 Vgs=10V 條件下)
最大漏源電壓 (Vds):30V
最大柵源電壓 (Vgs):±20V
最大漏極電流 (Id):41A(脈沖條件)
連續(xù)漏極電流:10.2A
總功耗:215W
結(jié)溫范圍:-55°C 到 +175°C
封裝:LFPAK56D (PowerSO-8)
NVR5198NLT1G 的主要特性包括:
1. 超低導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 支持高電流應(yīng)用,最大脈沖漏極電流可達(dá) 41A。
3. 高溫工作能力,最高結(jié)溫達(dá)到 +175°C,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
4. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB板面積。
5. 穩(wěn)定的電氣性能,可確保長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
這些特點(diǎn)使得 NVR5198NLT1G 成為眾多高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
NVR5198NLT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路中的功率開關(guān)。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與切換。
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)和切換功能。
由于其低導(dǎo)通電阻和高效率,NVR5198NLT1G 在需要高頻開關(guān)或低損耗的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。
NVR5198NL, IRF7846TRPBF, FDMQ8209