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NVR5198NLT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/13 11:04:36 查看 閱讀：21

NVR5198NLT1G 是一款由安森美（onsemi）推出的高效能、低功耗的N溝道MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的制程技術(shù)，具有出色的導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于各種電源管理及信號(hào)切換場(chǎng)景。
　　該器件的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在高頻工作條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)換，同時(shí)其封裝形式緊湊，適合于空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。

參數(shù)

型號(hào)：NVR5198NLT1G
　　類型：N-Channel MOSFET
　　Vgs(th)（柵極開啟電壓）：1.2V 典型值
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：7mΩ 最大值（在 Vgs=10V 條件下）
　　最大漏源電壓 (Vds)：30V
　　最大柵源電壓 (Vgs)：±20V
　　最大漏極電流 (Id)：41A（脈沖條件）
　　連續(xù)漏極電流：10.2A
　　總功耗：215W
　　結(jié)溫范圍：-55°C 到 +175°C
　　封裝：LFPAK56D (PowerSO-8)

特性

NVR5198NLT1G 的主要特性包括：
　　1. 超低導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 支持高電流應(yīng)用，最大脈沖漏極電流可達(dá) 41A。
　　3. 高溫工作能力，最高結(jié)溫達(dá)到 +175°C，適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
　　4. 小型化封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB板面積。
　　5. 穩(wěn)定的電氣性能，可確保長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
　　這些特點(diǎn)使得 NVR5198NLT1G 成為眾多高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

NVR5198NLT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路中的功率開關(guān)。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與切換。
　　6. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)和切換功能。
　　由于其低導(dǎo)通電阻和高效率，NVR5198NLT1G 在需要高頻開關(guān)或低損耗的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。

替代型號(hào)

NVR5198NL, IRF7846TRPBF, FDMQ8209

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nvr5198nlt1g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量12,268現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥3.97000剪切帶（CT）3,000 : ￥1.12905卷帶（TR）
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）60 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.7A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）155 毫歐 @ 1A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）5.1 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）182 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）900mW（Ta）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3