NVTA7002NT1G 是安森美(onsemi)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�。這款器件具有高頻、高效和高功率密度的特點,非常適合用于開關電�、DC-DC轉換器以及其他需要高頻工作的電力電子應用。其封裝形式為PQFN5x6,有助于實現(xiàn)更緊湊的設計�
由于采用了先進的氮化鎵技�,NVTA7002NT1G在性能上遠超傳�(tǒng)的硅基MOSFET,在開關速度、導通電阻以及效率方面都有顯著優(yōu)勀�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�4A
柵極電荷�39nC
輸入電容�1640pF
導通電阻:120mΩ
工作結溫范圍�-55� to 175�
NVTA7002NT1G的核心特性包括:使用了增強型氮化鎵工藝制�,從而實�(xiàn)了低導通電阻和高速開關性能。該器件具備快速開關能�,可以有效降低開關損耗,并提升系�(tǒng)整體效率。此�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電荷,進一步優(yōu)化了動態(tài)性能。另外,其堅固的結構設計保證了較高的可靠性和耐熱�,適合于工業(yè)級或汽車級的應用場景�
這款芯片通過�(yōu)化寄生參�(shù),使得在高頻運行條件下也能保持出色的電氣性能。同�,PQFN5x6的小型封裝方式不僅節(jié)省了PCB空間,也簡化了散熱管��
NVTA7002NT1G廣泛應用于各種高效率電力轉換場合,如�(shù)�(jù)中心服務器電源、電動汽車車載充電器、無線充電設�、太陽能逆變器等。在這些領域�,該芯片憑借其高頻特性和低功耗表�(xiàn),能夠幫助工程師設計出體積更�、重量更輕且效能更高的產(chǎn)品�
此外,它也非常適用于消費類電子產(chǎn)品中的快充適配器市場,因為這類�(chǎn)品對效率和尺寸要求較高,而NVTA7002NT1G正好滿足這些需��
NTP8402PZ, NVTC4002N