NVTFS5116PLTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)制造的 N 沃爾特溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,適合用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用。其采用符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-263 封裝形式,提供出色的散熱性能�
該型�(hào)屬于 PowerTrench 技�(shù)系列,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)和靜�(tài)特性以滿足高性能需�。它在設(shè)�(jì)中能夠顯著降低功耗并提高效率�
最大漏源電壓:40V
最大連續(xù)漏電流:9.7A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�8mΩ
總柵極電荷:12nC
輸入電容�1240pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-263
NVTFS5116PLTAG 提供非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這使其成為高效能�(yīng)用的理想選擇。同�(shí),該器件的高�(kāi)�(guān)速度可減少開(kāi)�(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)效率。此�,其具備良好的熱�(wěn)定性和耐用性,能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
主要特點(diǎn)包括�
- 極低的導(dǎo)通電� (8mΩ 典型�),可降低傳導(dǎo)損��
- 高頻操作能力,適用于快速開(kāi)�(guān)�(chǎng)��
- 增強(qiáng)的雪崩能量能�,提升了系統(tǒng)的魯棒��
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工藝�
- �(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)有助于改善散熱表�(xiàn)�
NVTFS5116PLTAG 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合。典型應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域:
- �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
- 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)�,如服務(wù)�、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品�
- 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理模塊�
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單��
由于其出色的性能,這款 MOSFET 特別適合那些�(duì)效率和可靠性有�(yán)格要求的�(shè)�(jì)�(xiàng)目�
NVTFS5118NL, NVTFS5120NL