NVTFS5826NLTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)� Trench 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于多種高效能電源管理應(yīng)用�
該器件的封裝形式� TO-263 (D2PAK),適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�74A
�(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):2.6mΩ
總功耗:175W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
NVTFS5826NLTAG 具有以下主要特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠滿(mǎn)足高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用的需��
3. 較高的雪崩擊穿能量(EAS),增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 提供�(yōu)異的熱性能表現(xiàn),確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
6. 耐熱增強(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),提升散熱能��
NVTFS5826NLTAG 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 電池保護(hù)與管理系�(tǒng)�
5. 工業(yè)逆變器及 UPS 系統(tǒng)�
6. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
由于其大電流承載能力和低�(dǎo)通電�,這款 MOSFET 特別適合需要高效率和高性能的場(chǎng)��
NVTFS5822NL, IRF540N, FDP5800