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NVTFS5826NLTAG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 23:28:19 查看 閱讀：8

NVTFS5826NLTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于多種高效能電源管理應(yīng)用。
　　該器件的封裝形式為 TO-263 (D2PAK)，適合表面貼裝工藝，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及通信領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：74A
　　導(dǎo)通電阻（典型值，Vgs=10V）：2.6mΩ
　　總功耗：175W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-263 (D2PAK)

特性

NVTFS5826NLTAG 具有以下主要特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度，能夠滿(mǎn)足高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求。
　　3. 較高的雪崩擊穿能量（EAS），增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
　　4. 提供優(yōu)異的熱性能表現(xiàn)，確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
　　6. 耐熱增強(qiáng)型封裝設(shè)計(jì)，提升散熱能力。

應(yīng)用

NVTFS5826NLTAG 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓電路。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 電池保護(hù)與管理系統(tǒng)。
　　5. 工業(yè)逆變器及 UPS 系統(tǒng)。
　　6. 各類(lèi)負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　由于其大電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，這款 MOSFET 特別適合需要高效率和高性能的場(chǎng)景。

替代型號(hào)

NVTFS5822NL, IRF540N, FDP5800

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nvtfs5826nltag參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.6A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C24 毫歐 @ 10A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds850pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-WDFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-WDFN（3.3x3.3）
  • 包裝帶卷 (TR)