NZ5760DTR1是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率開關(guān)器件,廣泛應用于高頻�、高效率的電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�。其�(shè)計旨在提供卓越的開關(guān)性能和低導通電�,適用于各類高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、適配器以及快速充電解決方��
該器件采用先進的封裝工藝,能夠顯著減少寄生電感和熱阻的影響,從而提高整體系�(tǒng)的效率和可靠��
型號:NZ5760DTR1
類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵極電壓(Vgs):±20V
導通電阻(Rds(on)):0.7Ω(典型值,在Vgs=6V時)
連續(xù)漏極電流(Id):7A
功耗:8W(最大值)
工作溫度范圍�-40°C�+1TO-252(DPAK�
NZ5760DTR1的核心優(yōu)勢在于其利用氮化鎵材料的寬禁帶特�,實�(xiàn)了比傳統(tǒng)硅基MOSFET更高的開�(guān)速度和更低的導通損耗。這使得它在高頻應用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低系�(tǒng)中的能量損耗�
此外,該器件還具備以下特點:
1. 極低的輸出電容(Coss�,有助于減少開關(guān)損耗�
2. 快速的開關(guān)過渡時間,適合高頻操��
3. �(nèi)置ESD保護電路,提升抗靜電能力�
4. 高度可靠的制造工�,確保長期穩(wěn)定運��
這些特性使NZ5760DTR1成為�(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換器的理�5760DTR1主要應用于需要高效率和高頻工作的場景,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率因�(shù)校正(PFC)電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括隔離式和非隔離式拓撲結(jié)�(gòu)�
3. USB-PD快充適配��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻逆變器�
5. LED�(qū)動器和其他便攜式電子�(shè)備的電源管理模塊�
由于其出色的性能,這款器件特別適合那些對小型化和高效率有嚴格要求的�(shè)計項目�
NZ5760DTR2, NZ5760DTR3