OSG60R074FSZF是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)晶體�,專為高�、高功率密度�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著降低寄生電感和熱阻,從而提高整體系�(tǒng)性能�
該芯片適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器等�(yīng)用中,其高性能和高可靠性使其成為傳�(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方案�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�74A
�(dǎo)通電阻:7.4mΩ
柵極電荷�150nC
輸入電容�2200pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3L
OSG60R074FSZF具備出色的高頻性能,能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的開關(guān)損耗。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷使得該器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)�?fù)渲芯憩F(xiàn)出色�
此外,該芯片還具有優(yōu)異的熱性能,能夠有效降低散熱需求并提升系統(tǒng)的功率密�。同�(shí),由于采用了GaN技�(shù),其開關(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)的硅基MOSFET,有助于�(shí)�(xiàn)更緊湊的�(shè)�(jì)�
該器件內(nèi)置靜電保�(hù)功能,提高了其在�(shí)際應(yīng)用中的抗干擾能力。同�(shí),它還支持快速短路保�(hù),�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠��
OSG60R074FSZF廣泛�(yīng)用于各種高功率密度場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 服務(wù)器電源和電信電源
2. 太陽能逆變�
3. 電動(dòng)汽車充電�(shè)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
其高效能表現(xiàn)使其成為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的核心組件之一�
OSG60R085FSZF
OSG60R070FSZF