P1000K 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
這款芯片通常以TO-220封裝形式提供,便于散熱設(shè)�(jì)和安�。其出色的電氣特性和可靠性使其成為許多大功率�(yīng)用的理想選擇�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):1000V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):16A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.5Ω
總功耗(Ptot):230W
工作溫度范圍(Tj):-55℃至+175�
P1000K 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,最高可承受1000V的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為0.5Ω,在高電流條件下能夠顯著減少能量損耗,提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低了�(kāi)�(guān)損�,提高了高頻�(yīng)用中的表�(xiàn)�
4. �(qiáng)大的電流承載能力,持�(xù)漏極電流可達(dá)16A,滿足大功率�(fù)載的需��
5. 廣泛的工作溫度范圍,�-55℃到+175�,確保在極端�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
6. TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝形式,易于集成到各種電路�(shè)�(jì)中,并且具備良好的散熱性能�
P1000K 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):由于其高耐壓和低損耗特�,非常適合用于高效能的開(kāi)�(guān)電源解決方案�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):可用于控制各類電機(jī),包括步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)�,提供精確的電流控制和保�(hù)功能�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為核心開(kāi)�(guān)元件,幫助實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)��
4. 逆變器:在太�(yáng)能逆變器和其他類型的逆變器中�(fā)揮關(guān)鍵作��
5. 電動(dòng)工具:為電動(dòng)工具提供�(wěn)定的�(dòng)力輸�,同�(shí)保證�(shè)備的安全性與可靠��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:在工�(yè)控制和自�(dòng)化系�(tǒng)中,承擔(dān)功率�(diào)節(jié)和保�(hù)的任�(wù)�
IRFP260N, STP17NF50, FQP18N50