P28F002BCT120 是一款高性能的MOSFET功率晶體管,主要用于開關(guān)和功率放大應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
該型號(hào)屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,其特點(diǎn)是能夠承受較高的電壓,并在較低的功耗下提供高效的電流傳輸能力。此外,它還具有出色的抗靜電能力(ESD)和良好的穩(wěn)定性,確保在各種復(fù)雜環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
最大漏源電壓:-120V
連續(xù)漏極電流:-2.6A
導(dǎo)通電阻(典型值):3.5Ω
柵極電荷:24nC
總電容(輸入、輸出和反向傳輸):75pF
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝類型:TO-220
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高效率。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
3. 良好的熱穩(wěn)定性和散熱性能,確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的安全性。
4. 具備較強(qiáng)的過流保護(hù)和短路耐受能力。
5. 封裝形式堅(jiān)固耐用,適用于表面貼裝和通孔安裝兩種方式。
6. 在汽車電子、工業(yè)控制和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
3. 各類負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)。
5. 逆變器及太陽(yáng)能系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊。
6. 電信設(shè)備中的信號(hào)切換與隔離電路。
P28F002BCP120, P28F002BDT120, FDP5700