P4SMA200A 是一款高功率、低噪聲的砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT�,廣泛用于射頻和微波�(yīng)�。該器件采用表面貼裝封裝,適合自�(dòng)化裝配工�,具有出色的線性度和增益性能。P4SMA200A 的設(shè)�(jì)使其適用于各種無線通信系統(tǒng)中的低噪聲放大器(LNA)和�(qū)�(dòng)放大�,工作頻率范圍廣,能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能�
其主要特�(diǎn)包括高增益、低噪聲系數(shù)以及良好的匹配特性,能夠滿足�(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)高性能射頻組件的需求�
型號(hào):P4SMA200A
類型:pHEMT (假晶高電子遷移率晶體�)
材料:砷化鎵 (GaAs)
封裝形式:SOT-363 表面貼裝
工作頻率范圍:DC � 18 GHz
增益�15 dB 典型�
噪聲系數(shù)�1.2 dB 典型�
輸出功率 (1 dB 壓縮�(diǎn))�+17 dBm 典型�
最大耗散功率�350 mW
電源電壓�+4 VDC 典型�
靜態(tài)電流�75 mA 典型�
輸入匹配�50 Ω
輸出匹配�50 Ω
工作溫度范圍�-55°C � +105°C
P4SMA200A 擁有卓越的射頻性能,具體體�(xiàn)在以下方面:
1. 高增益:在寬頻率范圍�(nèi)提供高達(dá) 15 dB 的典型增益,確保信號(hào)�(qiáng)度的有效提升�
2. 低噪聲系�(shù):僅� 1.2 dB 的典型噪聲系�(shù),使其非常適合低噪聲放大器的�(yīng)用場��
3. 寬帶操作能力:覆蓋從直流� 18 GHz 的頻率范�,支持多種通信�(biāo)�(zhǔn)和協(xié)議�
4. �(wěn)定性:即使在極端溫度條件下,也能保持性能�(wěn)�,適用于工業(yè)和軍事環(huán)��
5. 小尺寸封裝:采用 SOT-363 表面貼裝封裝,節(jié)省空間且易于集成到緊湊型�(shè)�(jì)��
6. 高輸出功率:+17 dBm � 1 dB 壓縮�(diǎn)輸出功率,保證了較強(qiáng)的驅(qū)�(dòng)能力�
7. 易于使用:輸入和輸出均匹配至 50 Ω,簡化了電路�(shè)�(jì)過程�
P4SMA200A 主要�(yīng)用于需要高性能射頻放大的領(lǐng)�,包括:
1. 無線通信�(shè)備:如基站收�(fā)信機(jī)、點(diǎn)�(duì)�(diǎn)無線電和�(wèi)星通信系統(tǒng)�
2. 測試與測量儀器:例如頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀�
3. 軍事和航空航天:雷達(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)�(shè)備和�(dǎo)航系�(tǒng)�
4. �(yī)療設(shè)備:超聲波成像和其他高頻診斷工具�
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT):�(yuǎn)距離無線傳感器網(wǎng)�(luò)和數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)�
由于其高增益和低噪聲性能,P4SMA200A 在這些�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
P4SMF200A, P4SMG200A