P600D是一種高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,能夠在高頻開�(guān)條件下保持良好的性能�
型號:P600D
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
總功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
P600D具備以下主要特性:
1. 低導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損��
2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 較高的雪崩擊穿能量,提升了器件的可靠��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),適合在寬溫范圍�(nèi)工作�
5. 封裝�(shè)計散熱性能�(yōu)�,有助于延長使用壽命�
6. 提供過流保護(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全��
P600D適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源中的功率級開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率控��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件�
4. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 電動汽車及混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
P600N, IRFZ44N, FDP55N60