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P8503BMG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 10:25:37 查看 閱讀�9

P8503BMG是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他需要高效率和低功耗的�(yīng)用。該器件采用N溝道增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少發(fā)熱�
  該芯片設(shè)�(jì)適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中的負(fù)載切換和功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�。其封裝形式通常為SOP-8或TO-220,具體取決于制造商和應(yīng)用需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.6A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  柵極閾值電壓:2V~4V
  工作溫度范圍�-55℃~150�
  封裝形式:SOP-8/TO-220

特�

P8503BMG具有出色的電氣性能,主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下,導(dǎo)通電阻僅�0.18Ω,能夠有效降低功率損��
  2. 快速開�(guān)能力:具備短開關(guān)�(shí)間和低柵極電�,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,能夠在極端溫度和高�(fù)載環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):內(nèi)置熱保護(hù)功能,可防止因過熱導(dǎo)致的損壞�
  5. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊型封裝,節(jié)省PCB空間,便于小型化�(shè)備設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

P8503BMG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)管或同步整流管,用于提高電源�(zhuǎn)換效��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制小型直流電�(jī)的啟�(dòng)、停止和速度�(diào)節(jié)�
  3. �(fù)載切換:在電池管理系�(tǒng)中實(shí)�(xiàn)�(fù)載的�(dòng)�(tài)切換�
  4. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)充電器等�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:用作各種傳感器和�(zhí)行器的驅(qū)�(dòng)元件�

替代型號(hào)

IRF540N
  STP36NF06
  FDP5700

p8503bmg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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