時間：2025/5/10 9:00:05
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PAU1625BI-S1R1 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的功率 MOSFET，具體為 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件適用于需要低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率的場景。它采用了 SO-8 封裝形式，具有出色的熱性能和電氣性能，適合在電源管理、負(fù)載開關(guān)以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用中使用。
該器件的主要特點是其較低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和較高的電流承載能力，這使得它能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：-30V
連續(xù)漏極電流：-6.9A
導(dǎo)通電阻（典型值）：70mΩ
柵極電荷：10nC
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：SO-8
PAU1625BI-S1R1 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損耗，提高整體效率；具備快速開關(guān)能力，支持高頻操作；內(nèi)置反向二極管用于 freewheeling 電流處理；良好的熱穩(wěn)定性和可靠性使其能夠在惡劣環(huán)境下工作；采用標(biāo)準(zhǔn) SO-8 封裝，便于設(shè)計和安裝。
此外，這款 MOSFET 在各種負(fù)載條件下表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能，同時它的低電荷量確保了開關(guān)過程中的能量損失最小化，非常適合便攜式電子設(shè)備及汽車電子系統(tǒng)中的應(yīng)用。
PAU1625BI-S1R1 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)控制、電池保護(hù)電路等領(lǐng)域。它可以作為同步整流器的一部分來提升電源轉(zhuǎn)換效率，或者用作開關(guān)元件來控制不同負(fù)載的開啟與關(guān)閉。
在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，比如智能手機(jī)和平板電腦的充電管理模塊里也可以看到它的身影。另外，在工業(yè)自動化領(lǐng)域，例如可編程邏輯控制器(PLC)或數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAS)中的信號調(diào)節(jié)部分也常會用到此類 MOSFET。
PAU1625BIS1R1, DMG2306UX-13, FDMT8813Z
