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PAU1626BI-S1R1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 20:41:49 查看 閱讀:12

PAU1626BI-S1R1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種高效能轉(zhuǎn)換電路。其封裝形式為SOP-8,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備及通信設(shè)備中。
  該型號(hào)的MOSFET特別優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能和靜態(tài)性能之間的平衡,使其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同時(shí),其出色的熱特性和電氣特性確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:3.7A
  導(dǎo)通電阻:55mΩ(典型值,Vgs=10V)
  總功耗:1.4W
  結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
  封裝:SOP-8

特性

1. 低導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗,適應(yīng)高頻應(yīng)用需求。
  3. SOP-8封裝,支持自動(dòng)化生產(chǎn),節(jié)省PCB空間。
  4. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能。
  5. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢測,滿足多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求。
  6. 低柵極電荷,簡化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)并降低驅(qū)動(dòng)功耗。
  7. 提供過流保護(hù)功能,增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電流控制。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),實(shí)現(xiàn)充放電保護(hù)。
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
  5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級元件。
  6. 電信設(shè)備中的電源管理模塊。
  7. LED驅(qū)動(dòng)電路,提供高效的電流調(diào)節(jié)能力。

替代型號(hào)

PAU1626BI-S2R1
  IRLZ44N
  FQP30N06L