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PCS3P73Z21BWG-08-CR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 18:33:48 查看 閱讀:35

PCS3P73Z21BWG-08-CR 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造。該芯片主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
  此型號(hào)具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),可顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝形式:WLCSP (晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)
  最大漏源電壓(Vdss):73V
  最大柵極源極電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(Id):21A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  總功耗(Ptot):2.5W
  工作溫度范圍(Top):-55℃ 至 +175℃
  柵極電荷(Qg):30nC(典型值)
  反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns(典型值)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率。
  2. 高開關(guān)速度設(shè)計(jì),支持高頻開關(guān)應(yīng)用,降低開關(guān)損耗。
  3. 小型化的WLCSP封裝,節(jié)省PCB空間,適合便攜式設(shè)備及緊湊型設(shè)計(jì)。
  4. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 具備較強(qiáng)的雪崩能力和抗靜電能力,提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
  3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
  4. 汽車電子中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理模塊。
  6. 快速充電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。

替代型號(hào)

PCS3P73Z21BNG-08-CR
  IRF7739TRPBF
  AO6604
  FDP5500

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