PDD89828B是一種高性能的N溝道增強型MOSFET晶體管,廣泛應用于開關電�、電機驅�、負載切換等場景。該器件具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特�,適合高頻開關應��
它采用TO-252封裝形式,具備出色的熱性能表現,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�13A
導通電阻:2.8mΩ
柵極電荷�22nC
總電容:1450pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
PDD89828B采用了先進的工藝技術制�,擁有較低的導通電�,從而減少了傳導損��
其高擊穿電壓確保了在各種應用場景中的�(wěn)定性與可靠性�
此外,該器件具備非常小的柵極電荷,有助于實現更高的開關頻率和更高效的能源轉換�
PDD89828B還優(yōu)化了熱阻性能,使其能夠在較高功率密度下長期穩(wěn)定運��
最�,其緊湊的封裝形式簡化了PCB布局設計,并節(jié)約了空間資源�
PDD89828B適用于多種電子設備領�,包括但不限于以下:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流器或主開關管�
2. DC-DC轉換器中的高端或低端開關�
3. 各類電機驅動電路中的功率級元��
4. 負載切換及保護電路中的關鍵組件�
5. 充電�、適配器以及LED照明系統(tǒng)的功率管理部��
IRLZ44N
AO3400
FDP5500