時間：2025/5/29 20:26:41
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PDD89828B是一種高性能的N溝道增強型MOSFET晶體管，廣泛應用于開關電源、電機驅動、負載切換等場景。該器件具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開關速度的特點，適合高頻開關應用。
它采用TO-252封裝形式，具備出色的熱性能表現，能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：13A
導通電阻：2.8mΩ
柵極電荷：22nC
總電容：1450pF
工作溫度范圍：-55℃至150℃
PDD89828B采用了先進的工藝技術制造，擁有較低的導通電阻，從而減少了傳導損耗。
其高擊穿電壓確保了在各種應用場景中的穩(wěn)定性與可靠性。
此外，該器件具備非常小的柵極電荷，有助于實現更高的開關頻率和更高效的能源轉換。
PDD89828B還優(yōu)化了熱阻性能，使其能夠在較高功率密度下長期穩(wěn)定運行。
最后，其緊湊的封裝形式簡化了PCB布局設計，并節(jié)約了空間資源。
PDD89828B適用于多種電子設備領域，包括但不限于以下：
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流器或主開關管。
2. DC-DC轉換器中的高端或低端開關。
3. 各類電機驅動電路中的功率級元件。
4. 負載切換及保護電路中的關鍵組件。
5. 充電器、適配器以及LED照明系統(tǒng)的功率管理部分。
IRLZ44N
AO3400
FDP5500
