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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PDPM6N20V3

PDPM6N20V3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 11:12:30 查看 閱讀�21

PDPM6N20V3 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TOLL 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
  這款 MOSFET 的最� drain-source200V,能夠承受較高的電壓,同�(shí)其連續(xù) drain 電流(ID)在 25°C 下可�(dá)� 6.8A。由于其�(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能和熱特�,它廣泛�(yīng)用于工業(yè)控制、汽車電子以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�

參數(shù)

最� drain-source 電壓 (VDS)�200V
  最� gate-source 電壓 (VGS):�20V
  連續(xù) drain 電流 (ID)�6.8A
  �(dǎo)通電� (RDS(on))�190mΩ (� VGS=10V �(shí))
  總功� (Ptot)�245W
  工作�(jié)溫范� (TJ)�-55°C � +175°C
  柵極電荷 (Qg)�29nC
  輸入電容 (Ciss)�2050pF

特�

PDPM6N20V3 具有非常低的�(dǎo)通電� RDS(on),這使得它在導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗較�,提高了整體效率�
  其封裝采� TOLL 技�(shù),這種封裝方式具有良好的散熱性能,可以有效降低熱�,從而提高器件的工作�(wěn)定��
  此外,該器件的高開關(guān)速度減少了開�(guān)損�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  MOSFET �(nèi)部還集成了反向二極管,可以有效保�(hù)器件免受反向電壓的影��
  它的高雪崩擊穿能力和高可靠性也使其能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

PDPM6N20V3 廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制電路�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. UPS 系統(tǒng)
  5. 電池充電�
  6. 汽車電子系統(tǒng)
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  由于其出色的性能和可靠�,這款 MOSFET 是許多高效率、高密度�(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

STP6NR20NM, IRF540N

pdpm6n20v3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)