PDPM6N20V3 時(shí)間：2025/5/20 11:12:30 閱讀：21

PDPM6N20V3 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TOLL 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。
　　這款 MOSFET 的最大 drain-source200V，能夠承受較高的電壓，同時(shí)其連續(xù) drain 電流（ID）在 25°C 下可達(dá)到 6.8A。由于其優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能和熱特性，它廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、汽車電子以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。

參數(shù)

最大 drain-source 電壓 (VDS)：200V
　　最大 gate-source 電壓 (VGS)：±20V
　　連續(xù) drain 電流 (ID)：6.8A
　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：190mΩ (在 VGS=10V 時(shí))
　　總功耗 (Ptot)：245W
　　工作結(jié)溫范圍 (TJ)：-55°C 至 +175°C
　　柵極電荷 (Qg)：29nC
　　輸入電容 (Ciss)：2050pF

特性

PDPM6N20V3 具有非常低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)，這使得它在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗較低，提高了整體效率。
　　其封裝采用 TOLL 技術(shù)，這種封裝方式具有良好的散熱性能，可以有效降低熱阻，從而提高器件的工作穩(wěn)定性。
　　此外，該器件的高開關(guān)速度減少了開關(guān)損耗，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　MOSFET 內(nèi)部還集成了反向二極管，可以有效保護(hù)器件免受反向電壓的影響。
　　它的高雪崩擊穿能力和高可靠性也使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

PDPM6N20V3 廣泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換和控制電路中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS)
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　4. UPS 系統(tǒng)
　　5. 電池充電器
　　6. 汽車電子系統(tǒng)
　　7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
　　由于其出色的性能和可靠性，這款 MOSFET 是許多高效率、高密度設(shè)計(jì)的理想選擇。