PDPM6N20V3 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TOLL 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
這款 MOSFET 的最� drain-source200V,能夠承受較高的電壓,同�(shí)其連續(xù) drain 電流(ID)在 25°C 下可�(dá)� 6.8A。由于其�(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能和熱特�,它廣泛�(yīng)用于工業(yè)控制、汽車電子以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�
最� drain-source 電壓 (VDS)�200V
最� gate-source 電壓 (VGS):�20V
連續(xù) drain 電流 (ID)�6.8A
�(dǎo)通電� (RDS(on))�190mΩ (� VGS=10V �(shí))
總功� (Ptot)�245W
工作�(jié)溫范� (TJ)�-55°C � +175°C
柵極電荷 (Qg)�29nC
輸入電容 (Ciss)�2050pF
PDPM6N20V3 具有非常低的�(dǎo)通電� RDS(on),這使得它在導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗較�,提高了整體效率�
其封裝采� TOLL 技�(shù),這種封裝方式具有良好的散熱性能,可以有效降低熱�,從而提高器件的工作�(wěn)定��
此外,該器件的高開關(guān)速度減少了開�(guān)損�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
MOSFET �(nèi)部還集成了反向二極管,可以有效保�(hù)器件免受反向電壓的影��
它的高雪崩擊穿能力和高可靠性也使其能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
PDPM6N20V3 廣泛�(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和控制電路�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. UPS 系統(tǒng)
5. 電池充電�
6. 汽車電子系統(tǒng)
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
由于其出色的性能和可靠�,這款 MOSFET 是許多高效率、高密度�(shè)�(jì)的理想選��
STP6NR20NM, IRF540N