PDTD123EU是一款基于N溝道增強(qiáng)型MOSFET技�(shù)的功率晶體管,廣泛應(yīng)用于汽車電子、工�(yè)控制和電源管理領(lǐng)�。該器件采用了TO-263封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能��
此MOSFET適用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效能功率切換的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
總功耗:180W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
PDTD123EU的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損�,提高整體效��
2. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下也能穩(wěn)定工��
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠性�
6. 采用先�(jìn)的銅夾片技�(shù),提高了熱性能和電氣連接的穩(wěn)定��
這款MOSFET適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級切換�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和逆變器設(shè)��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
4. 大電流DC/DC�(zhuǎn)換器�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
6. 各種大功率負(fù)載開�(guān)�(yīng)��
IRF3205, PTD19N10E, STP120N10F5