PDTD143EU是一款高性能的N溝道增強型MOSFET晶體�,主要應用于電源管理、電機驅動以及負載開關等領域。該器件采用TO-252(DPAK)封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�,從而能夠實現高效的功率轉換�
該MOSFET通過�(yōu)化的制造工�,顯著降低了導通損耗和開關損耗,非常適合在高頻開關電路中使用�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.8A
導通電阻(典型值)�75mΩ
總功耗:1.2W
工作溫度范圍�-55℃至150�
PDTD143EU具有低導通電阻,可以有效減少傳導損�,提高整體效率。此�,該器件具備快速開關速度,有助于降低開關損耗,并且其高雪崩擊穿能量使得它能夠在異常條件下提供更強的耐用��
另外,由于采用了DPAK封裝,這種芯片具備良好的散熱性能,適合長時間運行于較高負載的應用場景。同時,該產品符合RoHS標準,確保環(huán)境友好��
PDTD143EU還支持寬范圍的工作溫度區(qū)間,使其能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運�,這為汽車電子、工�(yè)控制及消費類電子產品提供了可靠的保障�
PDTD143EU廣泛適用于直流無刷電機驅�、負載切換、降�/升壓轉換器等場景�
具體來說,它可以用于筆記本電腦適配器、手機充電器以及其他便攜式設備的電源管理系統(tǒng);在工業(yè)領域,可用于伺服電機控制和自動化系統(tǒng)中的開關元件;此外,還常見于LED驅動電路和太陽能微逆變器設計中�
IRLZ44N
AO3400
FDP5501