時(shí)間：2025/5/22 0:47:32
閱讀：17
PHB18NQ10T是一款高壓MOSFET晶體管，屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，能夠在高電壓環(huán)境下提供高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻，適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域。
這款MOSFET的主要特點(diǎn)是其高擊穿電壓（BVdss）和較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠有效減少功耗并提高系統(tǒng)效率。
型號：PHB18NQ10T
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源極電壓（Vds）：1000V
最大柵源極電壓（Vgs）：±20V
持續(xù)漏極電流（Id）：18A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω
總功耗（Ptot）：180W
結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-247
PHB18NQ10T具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力：高達(dá)1000V的漏源極電壓使其非常適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 較低的導(dǎo)通電阻：在特定條件下，導(dǎo)通電阻僅為0.45Ω，能夠降低導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能：優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使得開關(guān)速度更快，從而減少開關(guān)損耗。
4. 高可靠性：具備出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力。
5. 寬工作溫度范圍：從-55℃到+175℃的工作溫度范圍，適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作條件。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保材料確保滿足國際法規(guī)要求。
PHB18NQ10T廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動：適用于工業(yè)自動化設(shè)備中的電機(jī)控制。
3. 逆變器：包括太陽能逆變器和其他類型的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
4. PFC電路：功率因數(shù)校正電路中使用以提高能源利用效率。
5. 充電器：電動車充電器、電池充電器等高功率應(yīng)用。
6. 電磁爐及其他家電產(chǎn)品：為家用電器提供高效穩(wěn)定的功率控制解決方案。
PHB16NQ10T, PHB20NQ10T
