PHPT610030NK是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件適用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓特性使其成為許多工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�61A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�78nC
功耗:18W
工作溫度范圍�-55� to +175�
PHPT610030NK具有超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
此外,該器件具備快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
它還擁有�(qiáng)大的熱穩(wěn)定性和魯棒性設(shè)�(jì),確保在�(yán)苛條件下依然保持可靠�(yùn)��
由于采用了先�(jìn)的制造工�,該芯片可以提供出色的電流承載能力以及較低的熱阻特性,有助于散熱管��
另外,該�(chǎn)品符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要求�
該芯片廣泛應(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、逆變器、電�(dòng)工具中的電機(jī)控制模塊、LED�(qū)�(dòng)電路以及各種需要高效功率管理的�(chǎng)合�
其高電流處理能力和緊湊型封裝使得它非常適合空間受限但性能要求高的�(shè)�(jì)�
IRFZ44N, STP55NF06L, FDP5500