PIX90032NQ是一款高性能的MOSFET功率晶體�,屬于IXYS公司的TrenchFET系列。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝技�(shù),具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特�,廣泛應(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動場景�
該器件為N溝道增強型MOSFET,適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、逆變�、電動工具以及工�(yè)控制等領(lǐng)�。其出色的電氣特性使得PIX90032NQ成為許多高效�、緊湊型�(shè)計的理想選擇�
型號:PIX90032NQ
VDS(漏源極電壓):900V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�320mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):5.4A
Ptot(總功耗)�180W
fSW(最大工作開�(guān)頻率):100kHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220AC
PIX90032NQ具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:高�(dá)900V的漏源極電壓使其適合高壓�(yīng)用環(huán)境�
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅�320mΩ,降低了�(dǎo)通損耗,提高了系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)計確保了高效的開�(guān)切換�
4. 熱穩(wěn)定性強:采用先�(jìn)的封裝技�(shù)和芯片結(jié)�(gòu),具備良好的散熱能力�
5. 小尺寸封裝:TO-220AC封裝在提供高功率處理能力的同時保持了較小的體�,方便布局�(shè)計�
6. 工作溫度范圍廣:支持�-55℃到+150℃的�(jié)溫范�,適�(yīng)多種極端�(huán)境條��
7. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗�,保證了長期使用的穩(wěn)定性和耐用��
PIX90032NQ的應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 逆變器和UPS系統(tǒng)
3. 電機�(qū)動和控制
4. DC-DC�(zhuǎn)換器
5. 工業(yè)自動化設(shè)�
6. 電動工具和家用電�
7. 能量存儲系統(tǒng)中的充放電管�
其高壓和高效特性使它特別適合需要高功率密度和高可靠性的�(yīng)用場景�
IXTN90N10P2, IRFP460, STW120N10MD