PJSD05MLFN2 是一款高性能、低功耗的 MOSFET �(chǎng)效應(yīng)晶體管,廣泛�(yīng)用于電源管理、開(kāi)�(guān)電路和信�(hào)�(diào)節(jié)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效提升系�(tǒng)效率并減少能量損��
這款 MOSFET 通常用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域的各種�(yīng)用中,其出色的電氣特性和可靠性使其成為設(shè)�(jì)工程師的理想選擇�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�5.6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在 Vgs=10V �(shí))
柵極電荷(Qg)�11nC (典型�)
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟時(shí)� 8ns,關(guān)閉時(shí)� 12ns (典型�)
工作溫度范圍�-55� � +150�
PJSD05MLFN2 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)合�
3. 小型封裝�(shè)�(jì)(如 SOT-23 或更?�?,節(jié)� PCB 空間�
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 良好的抗靜電能力(HBM > 2kV)�
7. 可靠性高,適合長(zhǎng)�(shí)間連續(xù)工作的應(yīng)用場(chǎng)��
PJSD05MLFN2 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies)中的同步整��
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
5. 工業(yè)�(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)和功率分��
6. 通信�(shè)備中的電源管理模��
7. 充電器和適配器中的過(guò)流保�(hù)及功率轉(zhuǎn)換�
IRF7409, AO3400A, SI2302DS