PJSD24W_R1_00001是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量損耗�
這款器件通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�,能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定性能,并且具備良好的熱特性和電氣特�,適合多種工�(yè)及消費類電子�(yīng)用�
型號:PJSD24W_R1_00001
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�24A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg)�39nC
反向恢復(fù)時間(trr)�75ns
�(jié)溫范圍:-55°C�+175°C
封裝形式:TO-220
PJSD24W_R1_00001的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少磁性元件體��
3. �(nèi)置反并聯(lián)二極管,適用于同步整流電��
4. 強大的散熱性能,能夠在高電流密度下長時間運��
5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
這些特性使得該芯片成為高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
PJSD24W_R1_00001的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,主要包括�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器的核心功率器件�
3. 各類電機�(qū)動電路,如步進電機、直流無刷電機等�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和控��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
其卓越的性能使其在這些�(yīng)用中表現(xiàn)出色,確保系�(tǒng)的可靠性和高效性�
IRFZ44N
FDP5800
STP24NF06L