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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PL10P06D3

PL10P06D3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:11:05 查看 閱讀�24

PL10P06D3是一種高效率、低功耗的MOSFET功率器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,能夠提供卓越的導(dǎo)通性能和開�(guān)特�,同�(shí)具有較高的電流承載能力和較低的導(dǎo)通電阻。PL10P06D3的設(shè)�(jì)使其在高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)�,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(chǎng)景�
  該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的�(dòng)�(tài)性能和出色的熱穩(wěn)定�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�17W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-220

特�

PL10P06D3具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,確保高效的能量�(zhuǎn)換和較小的發(fā)��
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,減少開�(guān)損��
  3. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
  4. �(nèi)置保�(hù)二極�,防止反向電流對(duì)電路造成損害�
  5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�
  6. 封裝�(jiān)固可�,便于安裝和散熱�

�(yīng)�

PL10P06D3被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
  3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 充電器和適配器中的關(guān)鍵功率器件�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制電��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FQP30N06L
  STP10NK06Z

pl10p06d3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)