PL15N10G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,適用于需要高效率和低導通電阻的應用場景。該器件采用了先進的制造工藝,具有出色的開關特性和較低的導通損�,適合用于電源管�、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等應用領��
PL15N10G 的最大工作電壓為 100V,能夠承受較高的漏源極電�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�。其緊湊的封裝設計使得它在空間受限的應用中非常實��
最大漏源極電壓(Vds):100V
最大柵源極電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):15A
導通電阻(Rds(on)):0.07Ω(典型�,Vgs=10V時)
總功耗(Ptot):36W
結溫范圍(Tj):-55� � +150�
封裝形式:TO-220
1. 高擊穿電壓(100V),確保在高壓環(huán)境下的可靠運��
2. 極低的導通電阻(0.07Ω�,減少導通損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
3. 快速開關能力,適合高頻應用�
4. 較高的連續(xù)漏極電流�15A�,支持大負載需��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際�(guī)��
6. 熱穩(wěn)定性強,能夠在高溫�(huán)境下長期工作�
7. 可靠性高,經(jīng)過嚴格的�(zhì)量測��
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器及電壓調(diào)節(jié)模塊�
3. 電機�(qū)動和控制電路�
4. 電池保護和負載切��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
6. 汽車電子中的各種功率控制單元�
7. LED �(qū)動器和其他照明應��
IRF540N, FQP17N10, STP15NF06