PL15NP30DD3是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管,廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,非常適合在高效能應(yīng)用中使用�
該型�(hào)屬于Power MOSFET系列,具有強(qiáng)大的電流處理能力和耐壓能力,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率和小體積設(shè)�(jì)的要��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極電荷�45nC(典型值)
總開�(guān)能量�70nJ(典型值)
功耗:225W(典型值,在指定散熱條件下�
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220FP
PL15NP30DD3的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)��
4. 小尺寸封�,便于PCB布局和安裝�
5. �(yōu)化了柵極�(qū)�(dòng)要求,降低了�(qū)�(dòng)電路�(fù)雜度�
6. 提供全面的靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)抗干擾能��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)害�
這款MOSFET適用于廣泛的�(lǐng)�,具體包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)控制�
2. DC/DC�(zhuǎn)換器的核心元��
3. �(fù)載開�(guān)及電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)開關(guān)�
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
7. LED�(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)組件�
IRFZ44N, STP16NF06L, FDP15N30