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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PL15NP30DD3

PL15NP30DD3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 16:54:14 查看 閱讀�32

PL15NP30DD3是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管,廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,非常適合在高效能應(yīng)用中使用�
  該型�(hào)屬于Power MOSFET系列,具有強(qiáng)大的電流處理能力和耐壓能力,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率和小體積設(shè)�(jì)的要��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:2.8mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  柵極電荷�45nC(典型值)
  總開�(guān)能量�70nJ(典型值)
  功耗:225W(典型值,在指定散熱條件下�
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220FP

特�

PL15NP30DD3的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)��
  4. 小尺寸封�,便于PCB布局和安裝�
  5. �(yōu)化了柵極�(qū)�(dòng)要求,降低了�(qū)�(dòng)電路�(fù)雜度�
  6. 提供全面的靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)抗干擾能��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)害�

�(yīng)�

這款MOSFET適用于廣泛的�(lǐng)�,具體包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)控制�
  2. DC/DC�(zhuǎn)換器的核心元��
  3. �(fù)載開�(guān)及電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)開關(guān)�
  5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
  7. LED�(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)組件�

替代型號(hào)

IRFZ44N, STP16NF06L, FDP15N30

pl15np30dd3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)